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半导体表面等离子体效应对THz波传输特性的影响 总被引：1，自引：1，他引：0
本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz波传输特性的方法.利用波长为808nm的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz波的吸收系数,进而控制硅片中THz波的传输特性,并测量了在光强为1.9W/cm2的激光照射下硅片对THz波的透射特性.在1.9W/cm2的激光照射下,0.07cm硅片的THz波透射量减少了20%.实验证明,利用激光控制硅片中的THz波传输是可行的. 相似文献
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