h-BN掺杂对金刚石晶体结构的影响

报道了在Fe70Ni30合金触媒和石墨系体中,掺杂六角立方氮化硼(h-BN)和硼(B)生长金刚石单晶的过程。研究发现,h-BN和B掺杂对于金刚石生长条件及形貌等具有较大的影响,其中h-BN掺杂生长金刚石的最低生长压力达到了6.2 GPa,同时晶体呈绿色条状。说明h-BN和B在金刚石晶体生长以及取代碳原子进入晶格时起到了不同的作用。通过X射线衍射及光电子能谱等表征手段,分析了硼氮对金刚石晶体结构的影响,以及硼氮在金刚石中的化学环境及成键方式。在此基础上阐述了硼氮掺杂的形成机制。     

钴钇掺杂（Ba,Sr）TiO_3基介电陶瓷的制备与性能研究

采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3＋、Co3＋的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗（tanδ）为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。     

Yb:YAG激光晶体生长与开裂分析

按3:5的化学计量比进行配料及合成,得到了YAG相的高纯原料;采用Cz法生长了掺杂浓度为5%的Yb:YAG晶体,对晶体的生长工艺进行了研究,如温场结构对晶体生长的影响;并分析了Yb:YAG 晶体开裂的影响因素.     

Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究

通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd：Gd3Ga5O12(Nd：GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd：GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061．54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。     

稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长

以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd~(3+),Yb~(3+),Er~(3+)和Er~(3+)+Yb~(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。     

掺钕钆镓石榴石激光晶体生长

掺钕钆镓石榴石（Nd：GGG）晶体是固体热客激光器的首选工作物质。本文采用提拉法生长了Nd：GGG晶体。通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数等方法，生长了优质Nd：GGG晶体。切割后经过端面抛光，测试了荧光光谱和吸收光谱。荧光光谱测试结果表明晶体的最强的荧光发射峰位于1062nm，是Nd^3＋4F3/2-4I11/2谱项导致的荧光发射。吸收光谱测试结果发现Nd：GGG晶体的最强吸收峰位于808nm，所以该晶体适合于LD泵浦，并且吸收峰强度随掺杂离子农度的增加而增加。有利于提高泵浦效率。     

一种Re（I）配合物的合成及其光学氧传感性质研究

以2-（4-（3,6-叔丁基-9咔唑基）苯基）-1氢-嘧唑[4,5-f][1,10]邻菲罗啉（L）为配体合成了一种Re（I）配合物——ReL（CO）3Br,并应用静电纺丝法将其掺杂到聚苯乙烯（PS）纤维中。在充分分析ReL（CO）3Br的光物理性质的基础上,对ReL（CO）3Br/PS纤维的光学氧传感性进行了分析。发现ReL（CO）3Br位于553nm处的磷光峰对氧气比较敏感,实验研究表明ReL（CO）3Br/PS纤维的磷光发射可以在10秒钟内对氮氧混合气中氧气浓度的变化产生响应。与在纯氮气中相比,在纯氧中ReL（CO）3Br/PS纤维的发光强度发生50%淬灭。     

高压高温制备Sb掺杂的P型ZnO及电致发光

以ZnO和Sb_2O_3为前驱物,在5GPa、1100~1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO(记作ZnO:Sb)。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性能最好的P型ZnO:Sb,电阻率为1.6×10~(-2)Ωcm,载流子浓度为3.3×10~(20)cm~(-3),迁移率为12.1cm/V s。p型导电是由位于Zn位的Sb和两个Zn空位组成的复合受主引起的。测定了受主能级为113meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电性能的影响。此外,以高质量ZnO纳米线作为LED的发射层,通过将p型ZnO:Sb中的空穴注入ZnO纳米线中实现了激光发射。当注入电流达到20mA时,电致发光(EL)的功率可达到10mW。     

Zn/ZnO晶枝的制备与生长机制研究

通过在管式炉中加热蒸发Zn粉的方法获得了具有层状结构的Zn晶枝沉积物,构成沉积物的子分枝也具有相同的结构和形状,每个亚微米尺寸的子分枝是由无数个规则的六角形纳米盘构成,这些纳米盘沿着三个晶轴方向蔓延生长,并且连接在一起形成了晶枝的主干和分枝。在氧气氛下退火,通过热氧化的方法形成了Zn/ZnO的核壳结构。所生长晶枝的形态不仅由结晶学和热力学性质所决定,也涉及到晶体生长的动力学,是热量和质量传输共同影响的结果。晶枝的生长是一个凝固潜热释放的过程,本文研究了Zn的晶枝生长以及ZnO螺旋位错的成核与生长机制。     

Nd:GGG激光晶体在高能固体热容激光器系统技术中的应用

介绍了固体热容激光器的发展现状和未来,详细分析了作为固体热容激光器的激光工作物质-掺钕钆镓石榴石(Nd:GGG)的结晶学性能、物理光学性能.提出了Nd:GGG晶体将在未来LD泵浦高功率激光器中获得广泛应用.