一种基于多态忆阻器的电压型神经网络电路

提出了一种基于多态忆阻器的神经网络电路硬件实现方法。采用2⁸ bit的惠普忆阻模型来构建存储权重的双忆阻稳定结构,结合了低功耗轨到轨运放技术以及寄存器技术,设计了模值与极性分离的绝对值电路,以及以忆阻器为核心、可进行正负浮点数运算的权值网络矩阵电路。通过Verilog-A编写激活单元,实现了多层忆阻神经网络。该电路采用并行输入和模拟信号处理方式,控制简单,无需中间数据缓存。实验结果表明,该方法有效提升了以忆阻器为核心的人工神经网络的稳定性和运行效率。     

磷酸处理对多孔SiO2薄膜质子导电特性和双电层薄膜晶体管性能的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO₂薄膜, 系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO₂薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO₂薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响。结果表明: 多孔SiO₂薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大, 60%浓度磷酸处理后多孔SiO₂薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10^-4 S/cm和6.33 μF/cm²。随磷酸浓度升高, 双电层薄膜晶体管的工作电压降低, 并且, 电流开关比也变大。其中60%浓度磷酸处理后器件工作电压为1.2 V, 迁移率为20 cm²/(V·s), 电流开关比为4×10⁶。这种双电层薄膜晶体管有望应用在化学和生物传感等领域。