磁场对B-A规性能的影响

文章详细叙述了Ｂ－Ａ型电离规受弱磁场（＜６０高斯）影响的性能，这个Ｂ－Ａ规灵敏度随．（ｌ）磁场的大小，（２）磁场的方向，特别是发射电子方向和磁场方位之间夹角改变而变化。如果要求Ｂ－Ａ规在磁场中工作，必须仔细选择相对于磁场的安装方位才能得到最佳状态。     

HL-1装置中的等离子体—器壁相互作用

对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合成化学反应。由置于等离子体刮离层中的硅收集探针的表面分析,表明Mo、Ni、Cr等为HL—1等离子体的中主要重杂质,来源于器壁表面的单极弧和和荷能粒子的碰撞溅射。设计了托卡马克中氢粒子流入射边界层中硅探针的蒙特卡罗模拟程序HISP。得到氢粒子流注入硅探针的特征深度Xm(nm)和其动力温度kT(eV)的关系式kT=50Xm-50,由此估算出入射硅探针表面的HL—1边界层等离子体动力温度约为55eV。由对收集探针的溅射AES剖面分析得出,HL—1高功率放电中在刮离层中总杂质通量的最大值可达8×10~(15)原子/厘米~2.秒,其中C、O、Mo、Ni和Cr分别占17.5%、34.8%、8.1%、8.5%和6.5%。最后提出了降低HL—1等离子体中杂质的建议。     

对不锈钢表面的辉光放电清洗

本文叙述了 Ar 气或 Ar+O_2混合气中直流辉光放电清洗不锈钢表面。四极质谱计分析表明,去除了表面上的碳氢化合物和其它杂质气体,同时经过溅射刻蚀减少了表面粗糙度,也减小了解吸面积;同时用 X 射线微探针分析证明,基体合金组分没有发生变化。     

Hl-1装置的钛蒸镀吸气实验

用钛吸气方法制备清洁表面净化HL—1装置的内真空室,减少了HL—1托卡马克等离子体中的杂质和气体再循环率,使Z_(eff)降低到1.4,在脉冲程控送气配合下,获得等离子体最高电子密度(?)_(emax)=6.8×10~(19)m~(-3),能量约束时间达28ms,并使装置进入q(a)=1.8的低g(a)稳定放电,扩展了装置的运行范围。     

10~(-13)托的液氦低温冷凝泵

本文介绍了超高真空校准装置用的液氦低温冷凝泵的性能。 该泵的特点是泵体的双层外壁用液氮冷却作为液氮屏蔽,而未采用泵内的液氮屏蔽挡板。极限真空度高,抽速大,满足了校准装置的要求。 液氮低温冷凝泵在4.2K时测得极限真空为1.2 ×10～-12托,抽速为6500升/秒(对干燥氮气)。减压降温接近2K时,极限真空为 10～-13托,对氢气抽速为11000升/秒。 一、引言 低温冷凝泵是利用致冷剂将固体表面冷到极低温度,使气体碰在冷凝表面上被凝结,从而产生抽气作用的。这种抽气过程基本上是一种物理吸附过程。它的抽速仅与低温表面或低温板的面积、几何形…