离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象

近几年来,人们研究了离子注入层中注入杂质在退火过程中的再分布。结果表明,广泛的离子品种,例如Pb~ 、As~ 、Sb~ 、Cs~ 、Pt~ 、Bi~ 、Xe~ 、Ni~ 、Br~ 和Cr~ 等高剂量(≥10~(15)atoms/cm~2)注入Si后,在退火时注入的杂质显著地向表面扩散;高剂量离子注入某些金属,退火时也有向表面扩散的现象。因此,高剂量注入的杂质在退火过程中向表面扩散是一个较普遍的现象。     

Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放

采用2MeV ~4He~+离子的卢瑟福(Rutherford)背散射技术详细地研究了Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放行为。Al(Cr)层中的Ar和Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30KeV,Ar的注入剂量为4.3×10~16at./cm~2;Xe的注入剂量为5.2×10~15at·/cm~2恒时退火累积分数释放额的测量表明,Ar和Xe在Al(Cr)层中有着十分不同的释放行为,Ar的迁移和释放较快,而Xe没有观察到明显的释放。气体原子尺寸的不同使得它们与晶格缺陷有着十分不同的束缚能。