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阳极氧化生成的Al_2O_3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al_2O_3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al_2O_3薄膜的厚度和注入离子在Al_2O_3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的~4He~ 离子束测定了Al_2O_3中~(75)As 和~(132)Xe~ 的注入剂量、射程和射程分布,并对阳 相似文献
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采用2MeV ~4He~+离子的卢瑟福(Rutherford)背散射技术详细地研究了Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放行为。Al(Cr)层中的Ar和Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30KeV,Ar的注入剂量为4.3×10~16at./cm~2;Xe的注入剂量为5.2×10~15at·/cm~2恒时退火累积分数释放额的测量表明,Ar和Xe在Al(Cr)层中有着十分不同的释放行为,Ar的迁移和释放较快,而Xe没有观察到明显的释放。气体原子尺寸的不同使得它们与晶格缺陷有着十分不同的束缚能。 相似文献
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不锈钢和铝是重要的核装置中所用的材料,其中的惰性气体在热激活情况下的运动特性与材料在各种辐照和高温条件下的相对稳定性,辐照产生的空洞缺陷以及这些缺陷所造成的膨胀和机械性能的变化有很大关系。因而,研究在金属材料中注入的惰性气体在各种退火温度下的迁移和释放规律,将为核装置所用材料的研究、改进和开发提供必要的实验依据。 单晶硅是重要的半导体材料。在室温下,利用重离子对单晶硅进行离子注入时,当注入剂量大于10~(14)atom/cm~2时,将在与离子射程相应的深度范围内形成非晶层。这个非晶层在其后的热处理过程中可以重新结晶,根据注入离子种类和注入剂量的不同,这个非晶层可以恢复成单晶或形成多晶。研究惰性气体在这种重 相似文献
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