二毫米雪崩二极管微波振荡器

本文给出了硅 P~+NN~+结构IMPATT二极管微波振荡器的研制结果.对主腔为径向线结构和外加反射式稳频腔的振荡器进行了实验研究,对耦合线长度的选择进行了理论分析并与实验结果作了比较.用自制的二毫米混频器和PB-12频谱仪观察了振荡器的频谱.在120-140GHz的范围内给出了20毫瓦的输出功率,效率在1％左右.     

铝电解电容器用腐蚀箔的SEM与EBSD研究

采用扫描电子显微镜（SEM）和背散射电子衍射（EBSD）技术分析国产铝光箔与进口铝光箔的表面质量、晶粒大小和织构度对阳极氧化腐蚀箔比容的影响。结果表明,由于光箔轧制与再结晶退火工艺的原因,国产铝光箔表面缺陷多,粗糙度大,晶粒小和织构度低,在相同腐蚀条件下,腐蚀箔的比容比进口铝光箔腐蚀后的比容低,且幅度超过5％。     

电子束辐照对多壁碳纳米管的影响（英文）

在室温下采用透射电子显微镜中汇聚的电子束辐照多壁碳纳米管。结果表明,在能量为100 keV的电子束辐照下除了碳纳米管管壁有一些弯曲外没有其他结构被破坏;当电子能量增加到200 keV时,纳米管有明显的损伤,可以观察到纳米管的无定型化、纳米管外壁的凹坑和缺口。200 keV的电子束辐照还能形成碳洋葱和2根多壁纳米管的焊接。多壁碳纳米管的离位阀能为83~110 keV。能量超过阀能的电子束可以很轻易地损伤纳米管而低于阀能的电子束则很难损坏纳米管,其损伤机理为溅射和原子离位。     

室温下Cu／3C—SiC（111）界面形成的研究

用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC (111) 界面的形成.在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML.Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰位从未沉积时的43.55eV移动到沉积2ML的43.87eV,峰形状未发生变化,表明Cu与衬底之间没有发生化学反应,薄膜的生长开始为二维生长,超过0.1ML时变为三维生长,SiC的表面有表面态存在,当沉积少量的Cu时,表面态消失.随着Cu的沉积价带(VB)发生弯曲,肖特基势垒高度增加,在沉积2ML Cu时肖特基势垒变为1.2eV.     

Ti/n型6H-SiC(0001)接触界面的研究

用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了Ti/n型6H-SiC(0001)的接触界面。Ti/n型6H-SiC(0001)样品采用磁控溅射的方法获得,然后将表面的Ti用氩离子刻蚀的方法慢慢刻蚀掉,Ti2p3/2用XPS测得,结合能从刻蚀时间为245 min的457.86 eV逐渐移动到刻蚀时间为255 min时的457.57 eV,移动约为0.3 eV。Si2p用同步辐射光测得,结合能从刻蚀245 min时的101.12 eV移动到干净的100.67 eV,峰形状未发生变化,表明Ti与衬底之间没有发生化学反应,SiC的价带发生弯曲,形成的势垒高度为0.89 eV。向SiC上蒸Si 2.5 min,退火30 min,观察LEED花样,发现当发射电流为30mA,能量37 eV时,SiC表面有√3*√3重构,发射电流为40 mA时,有6√3*6√3的重构。     

高灵敏度的In_(0.53)Ga_(0.47)As Hall器件

本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG以上的强磁场。