等效法测磁平绝对量值——Ⅱ、未知交流磁平的确定

<正> 一、原理方法待测量可为任何磁带的未知交流磁平φa。本工作φa选用待检测的BASF(IEC)开盘标准带的参考磁平,标称值320(nwb/m±5％),频率1 K Hz,带宽6.25(mm),带速38.1(cm/s)。测量系统包含交、直流磁化的走带、控制、监测系统Ⅰ和弱磁通量检测系统Ⅱ。测量方法分两部分:(一)作交流等效和直流等     

磁记录技术基础——第一章 物质的磁性和磁性材料的磁化

<正> 一、物质的磁性关于物质的磁性,历史上有两种不同的解释方法,即磁荷观点和分子电流观点。这两种观点所假设的微观模型不同,但是对宏观的磁现象最后总结出的规律和计算结果却是一样的。我们说两种观点是等效的。在研究具体问题中,有时用这一观点,有时用另一观点。     

用交变梯度磁强计研究Mn+离子注入GaAs的铁磁特性

介绍了磁测量仪器交变梯度磁强计的基本原理特点以及用它研究Mn+离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的铁磁特性.实验结果显示,交变梯度磁强计具有高灵敏度且使用方便.     

复合镀膜磁介质研究是磁记录的重要前沿方向

近年国外磁记录密度有惊人发展。IBM[1]和日立[2]先后分别超过1和2Gbpi2，都远超过光盘密度[3]。在多种技术改进中最基本的是磁介质。IBM用Cr＼CoCrPt＼C，日立用Cr＼CoCrPtsi＼CoCrPt＼C，都是复合镀膜磁介质。本文主要从复合镀膜介质微、磁结构和复合镀膜磁介质新材料这两个重要前沿研究方面来说明它们是复合镀膜磁介质研究的，也是磁记录的当前两个极重要的前沿方向     

钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构

用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制备了钴铬垂直磁化薄膜。1)用VSM及X射线薄膜磁化强度取向摆动曲线的Δθ50等方法做了磁性等测量,结果表明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜;2)对Co-Cr垂直磁化薄膜的成分分布及微观形貌用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和纳米束斑的能谱分析等研究。其中成分分布结果表明晶界处钴的集聚偏多,而非国际上流行的铬偏多;3)用STM作了晶粒形貌及表面起伏曲线,用AFM、MFM(磁力显微镜)分别做了同一区域晶粒形貌和相应磁畴结构的比较,实验都获得了很好的结果。钴铬固溶体薄膜是典…     

Mn+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道Mn+离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性.磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性.用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成MnGa晶粒外,还有含少量Ga的MnAs晶粒.原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在750-900℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主.     

固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性

在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).     

磁记录技术基础 第三章 重放过程

<正> 重放过程是记录过程的逆过程,即录有信号的磁带经过重放磁头时,磁带上的磁通穿过磁头线圈感生出重放电压的过程。我们可以简略地用如下方框图表示:     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）,还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模