CoMoO4负载Mo-V-Cr-Bi氧化物催化剂上甲烷部分氧化的研究

研究了CoMoO4负载Mo-V-Cr-Bi氧化物催化剂上甲烷部分氧化反应,发现反应存在一转折温度,当反应温度低于此温度时,CO是主要产物,而部分氧化产物甲醇的选择性低于20%,而当反应温度高于此温度时,CO的选择性大大降低,而CO2的选择性大大升高,主要产物变为CO2,甲醇的选择性降为0。在O2完全反应的时候,总会有H2生成,特别当反应温度高于转折温度的时候,H2的生成量大大增加。     

一种便携式超高频RFID读写器的设计

该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。     

基于PSP的MOSFET射频建模

基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度。     

单相交流参数测量仪设计

为了测量实验室中DC-AC逆变变频单相交流电参数,设计了基于MSP430F169单片机的单相交流参数测量仪.与采样、过零比较电路配合,利用单片机片内定时器测量频率和相位差;与采样、放大、精密整流和滤波电路配合,利用片内A/D转换器通过瞬时采样法测量电压、电流有效值并计算出视在功率、有功功率和无功功率.经原理样机验证可在LCM12864点阵显示器上显示出各参数测量值.     

大气折射率波动引起的SAR成像误差分析

合成孔径雷达(SAR)成像中通常默认大气折射率为1,即电磁(EM)波速率等于自由空间光速且忽略大气吸收特性,但实际存在的吸收会减弱入射功率,电磁波速率的变化会引起相位误差,从而影响图像重建.该文定量分析电磁波速率波动和大气吸收对雷达图像的影响,理论推导得出大气吸收会导致振幅误差,表现为散射点在图像中的重建幅度误差;电磁波速率波动会导致相位误差,表现为散射点在图像中的重建位置误差.仿真实验验证了误差分析的正确性.该分析进一步完备了SAR成像误差分析,有助于SAR图像正确解译.     

我国新型农村社会养老保险可持续发展问题研究

实施新农保制度,从试点、完善到制度成熟,都还面临着不少困难和挑战。在当前,要贯彻保基本、广覆盖、保急需、促公平等基本要领,也要注重强化政府主导、完善体制、完善个人账户制度、加强政策配套、妥善解决新农保与其他社保政策的接续转移问题等战略重点。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。     

InP衬底上电容和电阻的建模

在射频集成电路中，Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好，从而证明该文提出的模型足以准确地描述Inp衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外，Inp和GaAs同属于Ⅲ-Ⅳ族化合物。它们具有相似的性质，因此，该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。     

用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现

该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管，包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率，使功率放大器工作在近乙类，并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1．2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下，在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44．8％，增益为27．4dB，偏离中心频率1．25MHz处的ACPR为-47．9dBc。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.