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Si基GaN上的欧姆接触 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Si基GaN上的欧姆接触,对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5*10^-3Ω.cm^2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4*10^-5Ω.cm^2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定 相似文献
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光导型GaN/Si探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,经此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明,在紫外波段250 ̄360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和。 相似文献
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用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。 相似文献
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