单晶硅片倒角时边缘磨削力和磨削温度的研究

本文对硅片倒角过程中三个最重的因素;磨轮转速、硅片转速和圈去除量一一进行了原理分析,并倒角机进行了试验得到了比较合理的组合方案。     

VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究

研究了半绝缘Ga As的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。     

CMP技术的简介

本文通过查阅一些文献,简单的介绍了化学机械抛光技术的基本原理．对影响化学机械抛光的主要因素进行了主要分析,井对其研究发展趋势进行了一下展望,以方便读者对化学机械抛光技术进行初步了解。     

Ga As多线切割切片翘曲度的有限元分析

砷化镓切片的翘曲度是多线切割过程中必须控制的质量因素。通过建立多线切片过程的顺序耦合热应变分析有限元模型,以切片表面节点位移反映切片翘曲度。首先建立温度场三维有限元模型,模拟切割过程温度场分布;然后以温度场结果为边界条件,建立热应变分析模型;按照不同的张紧力、进给速度、钢线速度等工艺参数组合进行仿真模拟,计算出相应的翘曲度值,研究翘曲度与各工艺参数之间的关系。结果表明：张紧力增加,翘曲度减小;进给速度减小,翘曲度减小;线速度减小,翘曲度减小。