排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｕｂｓｕｒｆａｃｅｌａｙｅｒｐｒｏｐｅｒｔｙｏｆＧａＡｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｓｏｆｇｒｅａｔｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎｔｈｅｐｅｒｆｏｒ ｍａｎｃｅｏｆｄｉｒｅｃｔｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｄｅ ｖｉｃｅｓ[1 ].Ｓｅｖｅｒａｌｍｅｔｈｏｄｓｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｖｅｌ ｏｐｅｄｔｏｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｔｈｅｌａｔｔｉｃｅｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｓｕｂｓｕｒｆａｃｅｌａｙｅｒ ,ｓｕｃｈａｓＴＥＭｏｂｓｅｒｖａ ｔｉｏｎａｎｄＸ ｒａｙｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅａｎａ… 相似文献
2.
利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。 相似文献
3.
通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。 相似文献
4.
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一，而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感，采用实验的方法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的，因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如何影响晶体生长的质量的，而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容，为单晶硅的生长提供有利的指导．本文采用低雷诺数的K—ε紊流模型，对直径300mm的大直径单晶硅生长进行了数值模拟，通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析，阐明了勾形磁场影响熔体流动的机理． 相似文献
1