BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

热分解法制备钛酸铅镧薄膜及其电性能研究

本文研究了用金属有机物热发解法制备ＰＬＴ８薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响，并且给出了铁电性能的测量结果。     

PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究

用金属有机物热分解法,通过添加聚醋酸乙烯酯(PVAC),将PbTiO3(PT)薄膜的单层厚度提高到0.78μm;利用红外光谱、扫描电镜和XRD等分析手段研究了PT先驱体的反应机理、PT薄膜的表面形貌及相结构,讨论了PVAC抑制裂纹产生的原因.结果表明PVAC能与钛酸四丁酯生成聚乙烯钛酸三丁酯,并且能与溶剂乙二醇乙醚形成氢键,这有利于立体网状结构的形成,这种网状结构增强了薄膜的弹性,抑制了裂纹的产生;同时PVAC的加入使PT薄膜的晶化温度从550℃降低到500℃.     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

PMN-PT单晶淬火处理对介电性能的影响

通过淬火处理可以使弛豫型PMN-PT单晶中一些应力集中的区域产生应力场致相变,在Td处产生宏畴,从而在温谱上Td处的介电峰强化.研究表明,经淬火处理单晶谐振极化所对应的低温介电行为受到压制,主介电峰变窄,峰值变高并稍向高温方向移动;频率弥散减弱,弛豫性变小.     

红外热释电探测器的微图形化研究

红外热释电探测器的关键是敏感元的研制，而敏感元主要是由具有一定图形的铁电薄膜和上下电极构成。采用半导体光刻工艺，利用化学腐蚀法成功地对PZT铁电薄膜进行了刻蚀，同时采用剥离技术对相应的电极实现了图形化。     

BaFe12O19/A12O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷的柠檬酸SOl-Gel合成及其微波性能的研究

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/A12O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷,并对其介电常数及其磁导率在1MH2～6GHz下的变化规律进行了研究.结果表明,BaFe12O19/Al2O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷的合成与体系中Fe/Ba、烧结温度密切相关;其介电常数、磁导率基本都随测试频率的增加而下降;介电损耗值最大可达到0.30磁损耗值较小.     

碱催化多孔二氧化硅薄膜的制备和性能表征

以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧化硅的溶解度增大,也能使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅胶粒之间的聚合长大,而丙三醇与TEOS的水解中间Si(OR)4-x(OH)x结合,抑制其与二氧化硅胶粒的聚合。聚乙烯醇(PVA)能使二氧化硅溶胶具有网状结构,使二氧化硅溶胶易于成膜。该工艺制备的多孔二氧化硅薄膜具有纳米多孔结构。其Vicker硬度在600～800N/mm2,热导率<0.2W·m-1K-1。