排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 421 毫秒
1
1.
2.
3.
用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdTe(111)/Si(111).实验发现,生长温度小于230℃时,外延膜呈闪锌矿(立方)和钎锌矿(六方)的混合相结构.薄膜生长体现出团粒束淀积的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结晶质量显著提高.在Si衬底上,外延得到的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为11弧分左右. 相似文献
4.
一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道,并减弱原子在晶粒内平行密排面方向 相似文献
5.
ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料,用于制作发光器件有较大的应用前景,采用单源喷发、离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜,并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s,并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。外延薄膜存在0.2~0.4μm的应变过渡层,过渡层随淀积能量的增大而变薄。 相似文献
1