坯料外形对镁合金矩形盒拉深成形的影响

用商业有限元软件模拟了在同一套模具和成形条件下不同毛坯外形的镁合金矩形盒拉深成形过程．依据数值模拟结果，分析了不同坯料外形对镁合金矩形盒拉深成形的影响。结果表明：使用矩形圆角坯料比其他坯料的成形性能好。     

小直径扩张式封隔器压裂管柱的研制与应用

目前国内小直径扩张式封隔器多用于酸化、注水和堵水等作业,而在多级压裂方面应用较少,主要是因为工具耐压、耐温能力较差,用于多级压裂管柱安全性和可靠性较低。针对这种情况,通过对常规扩张式封隔器、双向锚定水力锚及丢手工具的结构改进,优化设计出适用于114. 3 mm套管的小直径扩张式封隔器多级压裂管柱。在吉林伏龙泉油气田的现场应用结果表明:改进后的封隔器耐温120℃、耐压70 MPa,坐封、解封成功率100%,性能大幅提高,可满足复杂工况下的施工要求;设计的多级压裂管柱工具少、操作简便、锚定可靠、井眼适应性好,能满足内径99. 6~103. 9 mm、外径114. 3 mm套管多级压裂需求;多级压裂管柱能够实现大斜度井的有效封隔,现场施工中最大井斜达到72. 2°。该压裂管柱的成功应用为油田老井挖潜和稳定产能提供了技术支持。     

中华武术国际传播研究

本文通过文献资料法、逻辑分析法,对中国传统武术国际传播的内涵进行综述与概括,一方面肯定了我国传统武术传播近年来的积极发展,另一方面又指出其传播过程依然无法摆脱"重技能,轻文化";"商业气息过于浓厚";"武术国际传播机制不够完善,专门性人才匮乏"的窠臼。     

抗凹性的应变设计及合理充液预胀量的确定

抗凹性是评价汽车覆盖件性能的重要指标。采用理论分析方法,研究成形件等效应变、变形模式与静态抗凹性载荷的关系,并以双相钢DP的成形极限图为基础,描绘了二维应变图形内的抗凹性极值线;通过分析双相钢平底筒形件充液拉深成形,确定合适的充液预胀量,使得静态抗凹性载荷最大。结果表明,静态抗凹性载荷受变形模式和成形件等效应变综合影响,当主应变比-1β≤1时,静态抗凹性载荷存在极值,即在二维应变图形中存在一抗凹性极值线。抗凹性极值线可作为试件应变设计的一种基准,采用此方法可得到抗凹性最优的试件。     

机器发明

引入机器发明的概念,论证它的现实可能性,并指出体制分析程序可作为机器发明的算法程序的基础。     

部分响应原理及其应用

<正> 在脉冲传输过程中,一般都不希望码元之间的干扰。消除这种干扰曾成为脉冲传输技术的主要研究目标之一。与此相反,也有特意利用这种干扰的编码形式,例如部分响应。所谓部分响应就是有意地附加码元之间的干扰,其结果使得传输信号的性质与传输线路的特性相适应。本文即介绍部分响应原理的提出、定义、分类以及所存在的问题与应用事例等。     

充液拉深中任意空间域流体介质压力的分析

采用有限元方法求解充液拉深过程中任意空间域流体介质压力分布,分析直壁间隙、法兰间隙对流体介质压力分布规律的影响,并给出了计算法兰区域最小压边力的方法,提出了充液拉深成形中间隙和最小压边力等工艺参数的选择方法,讨论在充液拉深成形过程中凹模圆角下等压处理的条件.结果表明:直壁间隙和法兰间隙共同决定流体介质压力分布,同时间隙比越大,直壁和凹模圆角部分压力分布越均匀.     

铝合金异型曲面件液压成形过程(英文)

针对低塑性铝合金的双曲率异型曲面件"落压"导致废品率高、尺寸一致性差、材料内部组织损伤影响疲劳性能等问题,采用液压成形技术对其进行研究。采用数值模拟和实验方法,对液压作用下的拉深过程及变形方式进行分析;探讨成形过程中起皱、破裂等失效形式及其机理,分析液压对缺陷发生区域典型点的应力状态和应力大小的影响。结果表明,避免缺陷的液室压力区间为10～30MPa;根据不同液压加载路径对异型曲面件横纵截面壁厚影响,确定合理的液室压为20MPa。     

镁合金板材制备及零件塑性成形技术

介绍了优质细晶镁合金薄板制备技术的研究概况,讨论了挤压板材制备工艺、轧制板材制备工艺和挤压-轧制板材制备工艺的研究进展.研究了镁合金薄板热拉深成形技术,获得了最佳成形温度范围及成形条件.研制了热成形模具装置,系统研究了成形温度、模具表面质量、摩擦润滑和润滑剂的影响、模具间隙、材料各向异性等问题.研究结果表明在温热拉深成形技术时,如果其它成形条件合适,温度在105～170℃范围时,板材性能优良,170℃时极限拉深比可以达到2.6;薄板厚度突破0.4 mm.     

可在-55°～ 125℃温度范围工作的军用微型计算机

最近,美国休斯飞机公司使用英特尔公司出售的双极性单片(Int-e13000系列)研制成功满足美国军用标准对温度和性能严格要求的16位军用微型计算机(通称 MMC)。MMC 由下述部分构成:8个2位的肖特基 TTL·LSI 电路(执行运算功能)、1个2位的 LSI 控制电路和4个 PROM 以及48个 MSI电路(执行存储和控制功能)。所有