退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.     

Preparation of Nano Y_2O_2S∶Eu Phosphor by Ethanol Assisted Combustion Synthesis Method

Rareearthoxysulfidematerialsexhibithighlumi nescentefficiencyaswellasexcellentchemicalstabili ty.Thesematerialsarewidelyusedasluminescent hostmaterialsofseveralcommerciallyavailablephos phorssuchasredemittingphosphorsforcolortelevi sionpicturetube,X rayphosphors[1],andlongafter glowpigments[2].Thereexistseveralmethodsinpre paringrareearthoxysulfides:(1)Traditionalsulfide fusionmethod,i.e.sulfurationofrareearthoxidein theflux(Na2CO3K2CO3K3PO4)athighte mperature[3,4],whichiswidelyemployedona…     

纳米Y2O2S：Eu的燃烧法合成和Eu^3＋离子荧光探针物相分析

将硝酸钇铕和较便宜的水溶性含硫燃烧剂溶于乙醇-水溶液，通过新的乙醇辅助燃烧法合成了一次粒径约20nm的硫氧化钇（Y2O2S：Eu）发光材料。研究结果表明：采用硫代乙酰胺作为燃烧剂时，燃烧反应产物为Y2O2S：Eu及微量的Y2O3：Eu。而采用硫脲作为燃烧剂，燃烧反应产物为Y2O3：Eu，Y2O2S：Eu和／或Y2O2SO4：Eu的混合物。利用Eu^3＋离子的。D0→Fi．跃迁导致的红色发光作为荧光探针，根据其在Y2O3（λem=610nm），Y2O2S（λem1=625nm，λem2=615nm），Y2O2SO4（λem1=613，λem2=615nm）基质中的光致发光光谱和X射线发光光谱位置和强度不同，来确定生成物中Y2O3：Eu，Y2O2S：Eu，Y2O2SO4：Eu物相的组成。     

1.55μm多量子阱行波光放大器

介绍了1.55μm波段的多量子阱(MQW)行波式半导体激光放大器的制备及其特性的测量.其测量结果.在注入脉冲电流条件下.内增益为20dB.饱和输出峰值功率为40mW.     

157nm紫外光刻设备用光学材料研究进展

介绍了半导体制造业专用设备，紫外光刻设备所使用的光学材料。介绍了该材料的选择，研究现状，该材料制造工艺技术的创新，以及与材料制造技术相配套的技术发展状况，同时分析了国际市场现状及该技术的发展趋势。     

Luminescence Characteristics of Yb~(3 ) and Er~(3 ) in Ⅲ-Ⅴ Semiconductors

The sharp luminescent peaks in Yb and Er-implanted InP,SI-InP,GaAs,and n-GaAs were observed at77K.The peaks at 1.0 and 1.5μm come from(4f)~2F_(5/2)→~2F_(7/2)of Yb~(3 )and ~4I_(13/2)→~4I_(15/2)of Er~(3 ),respectively.The optimum luminescent intensities can be obtained from Yb-implanted and Er-implanted sam-ples which were annealed at 800 and 750℃,respectively.A ccording to the analyses of PL and the rocking curveof X-ray double crystal diffraction,the best crystal structure of implanted InP layer has been obtained by an-nealing at 850℃.The interaction between Yb~(3 )and Er~(3 )in the SI-InP has been investigated for the first time.The quenching effect of Yb~(3 )and Er~(3 )with each other has been observed when the doses of Yb and Er-im-planted SI-InP are equal.     

锐钛矿相TiO2纳米薄膜的制备及光致发光研究

以钛酸四丁酯ETi(O-BU)4]为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了锐钛矿相TiO2纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱分别对不同烧结温度和不同手段(旋转涂敷法与一次摊涂法)制备的TiO2薄膜进行了表征。XRD分析表明TiO2薄膜的锐钛矿相(101)面上具有一定的择优取向。PL分析表明,在室温下,当用260nm激发TiO2薄膜时,在370～500nm范围内呈现出很宽的发光带,其对应着不同的发光中心;此外用545nm激发TiO2薄膜时,在近红外区域内818nm附近处展示出半高宽较宽且强度较强的发光峰。     

水热法合成高发光强度ZnS:Cu,Al纳米荧光粉研究

采用水热法直接合成了高发光强度的ZnS:Cu,Al纳米荧光粉.XRD和TEM测试结果表明,合成纳米晶为纯立方相结构,球形纳米晶尺寸约15nm,尺寸分布窄,分散性好.首次系统地研究了不同[S2-]/[Zn2+]和[Al3+]/[Cu2+]比值对清洗样品和不清洗样品的光致发光(PL)光谱的影响.实验结果表明,激活剂浓度不变而改变[S2-]/[Zn2+]摩尔比时,发光强度显著变化,同时未清洗样品的PL强度均比清洗样品的强,且未清洗样品强度增强的比值在低的[S2+]/[Zn2+]时更显著.这说明其发光机理为紫外光激发材料表面的发光中心,即PL强度决定于纳米材料的表面态,此外掺杂的激活剂摩尔比同样对PL光谱有影响.在我们的实验中,用343nm紫外光激发时,n[S2-]:n[Zn2+]=3,n[Al3]:n[Cu2+]=2时未清洗样品的发光最强,此时于室内照明条件下可观察到明亮的绿光.     

纳米Y2O2S:Tb X射线发光粉的合成及发光性质

以EDTA为螯合剂、尿素为沉淀剂,采用络合沉淀法制备了Y2O2S:Tb纳米X射线发光粉.通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和X射线激发发光(XEL)光谱对纳米发光粉进行了表征,并研究了纳米晶的发光性能及Tb3+离子的能量传递过程.研究表明:所制备样品显示了单一的六角结构,其一次粒径约为32 nm.在254 nm紫外光和X射线激发下,Y2O2S:Tb X射线发光粉都显示了Tb3+离子的特征发射峰,分别起源于5D3和5D4能级到基态能级的跃迁.     

掺Er3+碲铌酸盐玻璃的发光特性研究

以TeO2,Nb2O5,ZnO,Na2O为基质原料制备了掺铒碲铌酸盐玻璃,差热分析表明,Nb2O5的加入可以明显提高碲酸盐玻璃的热稳定性。同时应用McCumber原理计算的结果显示,摩尔分数为4%的Nb2O5的加入可使碲酸盐玻璃在1.53μm处的受激发射截面提高8%,其峰值达8.9×10-21cm2,而受激发射截面的有效带宽几乎不变。