排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10-4Ω.cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200~840nm)反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200~840nm波长范围内的平均反射率达43.33%。 相似文献
2.
3.
4.
为减少废弃龙虾壳对环境的污染及资源浪费,以虾壳和质量分数为50%的D-葡萄糖酸溶液为原料,利用超声波辅助法以龙虾壳为原料制备人体钙补充剂葡萄糖酸钙,研究虾壳粉的粒径、葡萄糖酸的添加量、液料比、超声时间、反应温度和超声功率对葡萄糖酸钙产率的影响.在单因素实验的基础上进行响应面实验优化.结果表明,最佳工艺条件为:质量分数5... 相似文献
5.
6.
Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜.通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能.Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ·cm,波长190 nm-850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%. 相似文献
1