制作高集成度动态RAM的各种单管单元结构的综合比较

大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成为主流的单管单元分为几种。作者通过综合性的评价,主张对高集成度动态RAM采用低阻材料的字线形成的折叠式数据线最为合适。 集成度一但从256K位提高到1M位以上,信号电荷量的减少就成为问题。为了改善这一点,作为单管单元介绍堆积型和开槽型结构。也要涉及到最近的CMOS化的倾向。作者认为,最重要的是成本,目前尚未见到能取代单管单元的实用单元。     

利用直列装药爆破拆除钢筋混凝土水闸

我们应邀在江苏南通地区通扬河流域,利用爆破法拆除了一废弃钢筋混凝土水闸.根据水闸岸墙与翼墙均属薄壁结构的特点,我们做了现场爆破试验,确认采用直列装药实施爆破拆除较为有利:勿须在钢筋混凝土墙上钻孔,从而避免了钻孔作业带来的困难;施工作业能在较大面积上展开,便于较多的民工同时投入作业;能加快作业进度,减少工程费用。     

利用直列装药爆破拆除钢筋混凝土水闸

我们应邀在江苏南通地区通扬河流域,利用爆破法拆除了一废弃钢筋混凝土水闸。根据水闸岸墙与翼墙均属薄壁结构的特点,我们做了现场爆破试验,确认采用直列装药     

军事爆破器材概要

军事爆破器材是军队武器装备的重要组成部分,随科学技术和战争的发展而发展。我军的爆破器材经历了不断发展不断完善的过程,对完成作战、训练和施工等任务发挥了重要作用。外军也大部重视爆破器材的研制与更新。由于军事爆破器材的生产、运输、保管及使用是以作战为宗旨,     

扩散工艺及设备

采用直径2英寸的硅片时,应调整温度加热扩散炉,将舟插入炉中。但是对于4英寸的硅片,由于大孔径化而发生滑移线,硅片的弯曲也容易产生。为此,在600～900℃的扩散炉中插入舟;并以4～10℃/分的升温速度升到所规定的热处理温度进行热处理。热处理后,以3～5℃/分的速度降到600～900℃,然后用集中方式将舟取出。 采用这种方式,不仅控制了滑移线,硅片的弯曲,而且可以使每批和每片之内