工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

VO_2薄膜及电学开关特性

用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2～3个量级的VO2薄膜.对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究.通过AFM,XRD和XPS对薄膜的结构和特性进行分析.     

工艺参数对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒Ｃｕ／ＳｉＯ２复合薄膜，获得了在离子束参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Ｃｕ／ＳｉＯ２复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

纳米颗粒薄膜的真空喷射沉积研究

利用真空喷射沉积技术制备厂Zn纳米颗粒薄膜，研究了工艺参数对薄膜形貌及晶体结构的影响规律，给出了颗粒尺度和外形随Ar气流量、蒸发源温度、喷嘴尺寸形状和沉积时间的变化规律，并对其机理进行了分析。     

用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜

采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。     

VO2薄膜制备及电学性能

用溶胶-凝胶法制备VO2薄膜.通过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺实验,在非晶玻璃上得到电阻变化2～～3个量级的VO2薄膜.对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电学性能的影响进行了初步研究.通过XRD和XPS对薄膜的特性和价态进行了分析.     

SiO2热控涂层的制备

用离子束溅射工艺在石英、LY12和卫星蒙皮材料上制备了不同厚度和发射率的SiO2薄膜,研究了厚度对薄膜光学、热学性能的影响规律。用直流磁控溅射工艺制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了厚度对薄膜光学、电学性能的影响规律。利用前两部分研究成果在LY12和卫星蒙皮材料上制备成功了发射率可达0.45、光谱反射率大于0.7、同时电性能满足空间抗静电要求的复合热控薄膜。     

纳米颗粒铜膜的制备和光学性能观测

应用离子束溅射技术制备了纳米颗粒铜膜，并在此基础上对其光谱特性进行了研究。结果表明，在特定波长出现了与连续薄膜不同的反常光吸收现象。     

退火温度对铟锡合金薄膜结构和性能的影响

采用铟锡合金作为溅射源,通过直流反应磁控溅射和在大气环境下高温退火,制备出了性能优良的ＩＴＯ薄膜,其太阳光谱透射率大于９０％。在放电参数、工作气体压力、反应气体流量、沉积时间等工艺参数相同的条件下,研究了退火温度对薄膜表面形貌、化学成分、晶体结构、光学和电学性能的影响。     

纳米薄膜研究的进展

介绍了纳米材料研究的产生、现状以及这类材料的特性。着重介绍了几种具有不同用途的纳米薄膜的结构特性、制备方法和性能特点。