城域光网建设的若干技术分析

阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述     

旺苍局积极服务TCC5扶贫新村滚动项目

近日，旺苍县水利局针对新农村扶贫新村建设、农村实用技术缺乏的实际，在龙凤乡锦旗村、五权镇中河村开展水产养殖、农田水利、安全饮水等技术服务，受到当地群众的一致好评。     

IP流媒体技术在电视转播系统中的应用

概述了IP流媒体技术的特点、原理,并与其他技术方案进行了对比,重点论述了利用该技术组建电视转播系统的过程,为在类似案例情况下选择技术方案提供实践依据。     

电力企业信息化建设的问题与思考

电力企业运用计算机、网络和数据库技术,有效管理生产经营活动中的所有信息,实现电力企业内外部信息的共享和有效利用,在此过程中要求信息化建设的工作从简单应用向管理和分析转变。针对该现象分析了电力企业信息化建设中存在的问题和不足,提出解决这些问题的对策和建议。     

基于背景估计和同态滤波的眼底图像归一化

针对眼底图像的归一化问题,提出一种基于背景估计和同态滤波的眼底图像归一化方法。从图像观测模型的角度出发,利用背景取样估计和插值技术实现图像背景的估计,通过边界奇异值处理和同态滤波增强图像细节,使图像的非均匀照度和对比度得到归一化增强。实验结果表明,与其他方法相比,该方法的归一化性能较好。     

静电纺纳米纤维材料在膜分离领域的应用研究进展

近年来,由静电纺丝技术制备的纳米纤维多孔膜,因具有纤维纤度细、表面积大、孔隙率高等形态特点,以及兼具良好的机械强度、低密度和易功能化而在过滤基膜分离领域的应用研究倍受各国研究者的关注。现有的高分子材质微滤膜多采用溶液相转化法,然而用该方法所制备的微滤膜孔隙率较低,并且所形成的微孔部分为闭孔结构;而静电纺纳米纤维多孔膜的孔隙率高且为相互贯通的开孔结构,能够显著改善流通性,是非常好的微孔滤膜。综述了近几年来纳米纤维作为过滤材质以及过滤用支撑材质在膜分离技术领域的研究成果,主要从纳米纤维微孔滤膜以及纳米纤维基复合滤膜用于水净化及脱盐淡化等几个方面进行概述,并对纳米纤维基滤膜的应用研究前景进行了展望。     

肋环型劲性支撑穹顶结构静力性能研究

给出劲性支撑穹顶结构静力分析时的基本假设和非线性有限元方程。探讨劲性支撑穹顶结构索垂度的影响,对比分析该结构与索穹顶结构的静力性能,最后讨论初始预应力、跨度、矢高和环向等分数等参数对结构静力性能的影响。算例分析表明,索垂度对劲性支撑穹顶结构静力性能的影响可忽略不计。劲性支撑穹顶结构的整体刚度比索穹顶结构大,脊索的受力性能更能得到充分的发挥。     

城市基础设施建设融资制度演变背景下的公园城市建设策略

[目的]从城市基础设施建设融资制度演变视角,厘清高速城镇化阶段和城镇化发展中后期阶段中国城市公园绿地的建设路径,分析当前公园绿地建设的可行模式,以助力公园城市建设。[方法]通过文献调查、历史研究、比较研究等方法,梳理了高速城镇化阶段的以地融资路径和城镇化发展中后期阶段的专项债融资路径的制度演变及公园绿地建设特点,并以2015—2020年成都市有关公园绿地建设专项债的发行文件为例,分析以地融资路径和专项债融资路径下公园绿地的建设差异及公园城市理念的适应性,分析公园城市理念下“场景营城、五态协同”策略与专项债融资路径的关系。[结果]1)以地融资路径与高速城镇化阶段相适应,保障了基础设施建设的资金来源和地方政府对城市建设的主导权,城市公园绿地随之高速增长。2)专项债融资路径是中央应对城镇化发展中后期的制度设计,本质上反映了对既有的、相对粗放的土地开发方式的认知深化,要求以更加精细化的模式对土地开发的长期经济效益进行预先安排和评估。3)专项债融资路径对公园绿地建设提出“项目自身平衡、长期多元偿债、项目捆绑实施、土地溢价偿债”的内在要求。4)公园城市建设理念要求进一步优化土地开发模式,提升城市的...     

香煎糯米藕

原料：鲜藕1节,糯米50克,香菇粒50克,鲜笋粒50克。五花肉丁15克,酱油10克,鸡汤150克,盐5克。制法：糯米洗净泡软,上蒸箱蒸制5分钟备用;锅入香菇粒、鲜笋粒、五花肉丁,加酱油、盐、鸡汤烧至入味,倒入蒸好的糯米搅拌均匀;鲜藕洗净,去皮。     

超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究

氧化镓(Ga₂O₃)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga₂O₃的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO₂作为α-Ga₂O₃垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga₂O₃ SBD具有非常重要的参考意义。