以辉锑矿为原料放电等离子烧结快速制备黝铜矿Cu_(12)Sb_4S_(13)及反应机理

采用辉锑矿为原料成功制备出Cu_(12)Sb_4S_(13)块体。研究以Sb_2S_3矿物为原料时烧结工艺对Cu_(12)Sb_4S_(13)合成的影响。在400 ～ 440℃温度区间内均可快速合成Cu_(12)Sb_4S_(13)块体且二次烧结能够进一步减小中间相CuSbS_2和Cu_3SbS_3。第二相Cu_3SbS_4和残留相CuS随着烧结时间的延长而降低。二次烧结前进行机械化球磨处理,干磨比湿磨更容易减小残留相。初次烧结块体的断面SEM和EDS能谱分析表明内部存在Cu或Cu_2S颗粒团聚现象。适当降低Cu或CuS摩尔量(化学计量比0.1 mol)能促进烧结块表面反应进行。烧结过程中,硫磺蒸汽压的导致烧结块表面成分和内部粉末的成分不同。     

变差函数在地下水位估值中的应用研究

用数值方法进行地下水水资源评价时 ,需要给出每个节点上的初始地下水位值。本文着重阐述了区域化变量和变差函数及其计算步骤 ,指出变差函数在分析地下水位的空间变异的重要性     

新型纺织纤维及其染整特性

文章概述了新型纤维纺织品的特点，介绍了目前市场上流行的几种新型纤维（大豆蛋白纤维、竹纤维、PBT和PTT）的基本性能及其染整特性，并指出了它们各自存在的问题。     

大朝山水电站工程地质勘察回顾

大朝山水电站的工程地质勘察，在前期勘测和工程施工中都取得了好成绩。回眸勘测人员艰苦奋斗的历程，精心工程地质勘察，循序渐进，勘测与设计的紧密结合是工程勘察成功的关键。电站工程区河谷深切，山高坡陡，交通困难，气候炎热，工程地质条件复杂，但深入勘察研究，充分因地制宜，扬长避短，优选工程设计方案，是能够做出显著成绩的。     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

安积伸：从设计“协奏”到设计“独奏”

从安积伸（Shin Azumi）第一次到英国算起，他和英国、和伦敦已经有了近15年的情结。安积伸早已成了各类媒体报道和机构介绍里频繁出现的名字，就连英国设计节的创始人之一约翰·索瑞（John Sorrell）在《Creative Island（创意之岛）》一书中也将其作为对英国创意产业有所影响的驻岛设计师予以了收录。安积伸目前依然在伦敦经营着自己“astudio”．一个从事产品、家具和空间设计的工作室。[第一段]     

Fe2O3—SrO—TeO2系半导体玻璃电导的研究

有准急压冷法制成Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）０≤ｆｅ２Ｏ３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ２〈１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流是导率为３．７２×１０＾－５－１．８２×１０＾－６Ｓ．ｃｍ＾－１。直流电导率随着Ｆｅ２Ｏ３含量的增加而增加。１６５℃时的     

迅速崛起的沙特石化工业

近年来 ,沙特政府努力借助原料优势发展下游石化产业 ,生产规模迅速扩大 ,乙烯产能已达 5 70万t/a ,仅次于美国和日本 ,居世界第 3位