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1.
源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
以高纯石墨作靶,CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜。拉曼光谱表明,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D)/I(G)减小,晶粒增大,芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。  相似文献   
2.
以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右)可以制备出附着力达11N的DLC∶F∶Si薄膜。通过拉曼和红外光谱分析以及样品粗糙度分析,作者提出了输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和特性调制的机理,即输入功率直接影响SiC靶的溅射产额、空间Ar~+的能量以及CHF_3的分解程度,继而影响空间Si、C、-CF、-CF_2,特别是F~*等基团的能量和浓度,调制薄膜中F含量以及Si-C键含量和C网络的关联度。Si-C、C=C键的增加有助于薄膜附着力的明显改善,F含量的减少则会导致薄膜的疏水性能有所下降。  相似文献   
3.
不确定度在物理实验中的应用初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
不确定是一个较新的概念,本对测量中的不确定作了简单介绍,着力探讨将有关复杂的评定规则合理简化,以求实用和易于被学生接受,并给出了应用范例。  相似文献   
4.
微波技术在真丝绸染色中的应用研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
江美福 《微波学报》1997,13(3):248-254
本文提供的有关测试数据表明,真丝绸染色过程中采用微波辐射处理,可以提高染料的上染百分率及织物的得色量,织物的色泽更加鲜艳,色牢度也有明显提高,将微波技术与传统的染色技术相结合,效果更好,前景是很光明的.  相似文献   
5.
微波辐射作用于人造棉织物的活性染料印花   总被引:1,自引:0,他引:1  
本提供的有关数据表明,人造棉织物上进行活性染料印花后采用微波辐射处理,可以提高织物的色牢度,色泽可以更鲜艳。结果同时也表明处理效果与染料量有关,染料量少的效果尤其明显。  相似文献   
6.
江美福  俞镛原 《微波学报》1999,15(3):287-291
实验表明,与常规蒸汽焙烘工艺相比,人丝织物涂料印花采用微波辐射处理可提高其摩擦牢度,节能效果显著,同时也存在明显的非热效应  相似文献   
7.
不确定度是一个较新的概念,本文对测量中的不确定度作了简单介绍,着力探讨将有关复杂的评定规则合理简化,以求实用和易于被学生接受,并给出了应用范例。  相似文献   
8.
为了适应21世纪科学技术更为迅猛发展的需要,加强和完善素质教育,必须不断加强实验,、实践教学环节。工科院校特别是已列入“211”计划的重点高校,继续加大物理实验教学改革力度,具有重要意义。  相似文献   
9.
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PIII)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N+注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响。结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成NO并与Al和Zn成键,对于ZnO薄膜实现p型反转是很关键的。实现p型反转的ZnO∶Al∶N薄膜载流子浓度可达2.16×1016cm-3,电阻率为8.90Ω.cm,霍耳迁移率为32.4cm2/V.s。  相似文献   
10.
近年来,Si基ZnO∶Al透明导电薄膜界面处Si的渗透对薄膜性能的影响引起了人们的关注。本文采用射频磁控溅射法,在石英和Si衬底上沉积了不同厚度的Al、Si弱掺杂(1wt.%)的ZnO薄膜(AZO∶Si),系统研究了膜厚(等价于Si的渗透深度)对薄膜电学、光学性质的影响。结果显示,膜厚在几十nm时,薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于膜厚,在膜厚为19nm时,载流子浓度和迁移率接近最小,电阻率较大,且呈现p型导电特性。随着膜厚增加,载流子浓度和迁移率都变大,电阻率减小并趋于稳定,膜厚在396nm附近时电阻率最小是7×10-3Ωc#m,此时的载流子浓度和迁移率分别是1.54×1020cm-3和5.66cm2 V-1s-1。膜厚达300nm以上时,Si的影响已可忽略。结合薄膜的X射线衍射(XRD)图谱、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光(UV-Vis)透射光谱探讨了膜厚(Si的渗透深度或过渡层厚度)对薄膜性能的影响及其相关机制。  相似文献   
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