ITO薄膜的微结构表征及其组分特性

用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。     

石英颗粒表面合成六棱柱状Mn~(2+)掺杂Zn_2SiO_4及光致发光性能研究

以SiO2颗粒和Zn(CH3COO)2为原料,采用水热法在不锈钢反应釜中低温制备了Mn2+掺杂的Zn2SiO4荧光材料。利用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对影响产物结构及发光性能的反应温度、反应时间、NH4OH质量分数等参数进行研究。结果表明:六棱柱状的ZnSiO4纳米颗粒可以在220℃的低温水热条件下获得,以该法制备的Mn2+掺杂ZnSiO4具有良好的光致发光性能,在220 nm紫外光激发下产生525 nm的绿色发光,并且发光强度随水热反应温度、时间以及NH4OH浓度改变而改变。     

铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响

采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。     

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.