非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜. GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释，其他电流输运机制（空间电荷限制电流）起主要作用. 分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1E4cm-3和位于EC-0.363eV的陷阱能级. 测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质

利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.     

溶胶-凝胶法制备K-N共掺ZnO薄膜的结构及光学特性

采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上生长了K与N共掺的ZnO薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜样品的结构和光学特性进行了研究。结果表明,溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构。随着K掺杂浓度的增大,薄膜的结晶性变好,组成薄膜的颗粒变大,并表现出c轴择优生长特性,同时掺杂导致的氧空位缺陷也在增加,使得绿光发射增强,薄膜的光学带隙先增后减。     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

溅射沉积HfON∶Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON∶Tb薄膜. 对样品在空气中进行了不同温度的退火处理. 用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰. 发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化，并有微弱的蓝移. 分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的. 发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系，在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

基于二维码管理的海上风电安全管理平台的开发与应用

<正>针对海上风电场离岸距离远、工作面通达性不佳的特点,以及施工期人员动态管理、船机管理及安全隐患排查治理的时效性差等管理的痛点和难点,提出了以集成化、信息化开展海上风电项目建设安全管理的解决方案,阐述了海上风电安全管理平台的开发建设和应用成效,对保障海上风电行业的健康快速发展具有重要意义。     

溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质

利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.     

溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质

利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓（a-GaN）薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到，样品随着衬底温度的升高而变厚，光学带隙随着衬底温度的升高而变小，Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.