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采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达1700μA/lm、逸出功低至1.2~1.3eV的负电子亲和势GaAs光电发射材料。本文介绍了GaAs光电材料的激活系统及其逸出功测试系统,叙述了艳氧多次交替激活工艺,给出了激活过程中灵敏度与逸出功的变化曲线,分析了GaAs光电材料导带上内光电子波函数的透射系数与逸出功之间的关系,最后讨论了逸出功测试在高性能GaAs光电材料制备过程中的作用。 相似文献
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