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1.
基于化学掺杂的碳纳米管二极管
宋传娟
杨俊茹
廖成浩
刘晓东
王英
贺蓉
董续盛
钟汉清
刘一剑
张丽英
陈长鑫
《新型炭材料》
2018,(5)
本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT) p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达10~3数量级、反向饱和电流仅为23 p A。此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理。
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