温度对Zn掺杂TiO2薄膜光电化学性能的影响

以四氯化钛为前驱体,以ZnCl2为锌源,采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备了Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn-TiO2),研究了温度对Zn掺杂纳米TiO2薄膜在0.2mol/L Na2SO4中的光电化学性能的影响。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜为n型半导体;经过300℃热处理的Zn-TiO2薄膜,导带位置最高,空间电荷层宽度W最大。从电化学阻抗谱得到,光照下300℃热处理的Zn-TiO2薄膜电阻较暗态下降低最多。通过线性伏安曲线发现,300℃热处理的Zn-TiO2薄膜具有最强的光电流。     

纯Mg表面TiO_2薄膜的耐蚀性研究

以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,盐酸为抑制剂,采用溶胶-凝胶法制得TiO2溶胶。采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO2薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明,溶胶浓度为0.5%、涂层次数为3、热处理温度为100℃时得到的TiO2薄膜具有最好的耐蚀性。     

纯镁表面Zn-TiO2涂层的制备及其耐蚀性

以四氯化钛为前驱体,去离子水为溶剂,ZnCl2为掺杂剂,采用溶胶-凝胶方法制得TiO2溶胶,采用旋涂法在纯镁基体上制得Zn-TiO2薄膜。采用XRD、DSC/TG、SEM,表征不同实验条件下试样的组成和结构,发现Zn2+在一定程度上抑制了晶粒的长大和晶型转变;以电化学阻抗值作为评价标准,通过正交实验研究了热处理温度、涂层次数、Zn2+掺杂浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明,Zn2+掺杂浓度为0.5%,涂层次数为3,热处理温度为300℃下得到的TiO2薄膜具有最好的耐蚀性。     

纯Mg表面TiO2薄膜的电化学腐蚀行为

以四氯化钛为前躯体,去离子水为溶剂,盐酸作为抑制剂,采用溶胶-凝胶的方法制得TiO₂溶胶,采用浸渍-提拉技术在纯镁基体上制得TiO₂薄膜,以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验,以电化学阻抗值作为评价标准,研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明:溶胶浓度为0.5%,涂层次数为3,热处理温度为100℃下得到的TiO₂薄膜具有最好的耐蚀性。