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采用先驱体浸渍-裂解工艺结合三种基体改性方式制备了SiC/SiC复合材料,通过形貌分析和力学性能测试,分析了基体改性对Si C/SiC复合材料高温抗氧化性能的影响。研究表明,经1200℃静态空气氧化100h后,三种基体改性的复合材料弯曲强度几乎没有下降,氧化200h后,弯曲强度保留率均可达到80%;氧化300h后,复合材料内部结构没有氧化现象,表面区域界面层的氧化程度降低。改性基体中的B元素氧化生成液相封填SiC涂层表面,延缓了SiC涂层的氧化进程,并阻止氧化介质进入复合材料内部,保护纤维和界面层,从而使SiC/SiC复合材料的长时静态高温抗氧化性能明显提高。 相似文献
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聚酰亚胺基碳纤维的开发 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了作为碳纤维前驱体的聚酰亚胺 (PI)纤维的组成、分子结构和特性 ;叙述了 PI原丝的碳化和石墨化过程。并讨论了 PI基碳纤维在产业发展中将起的重大作用。 相似文献
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本研究设计了一种溴化装置,用于合成并稳定控制ZrBr4蒸汽的流量。采用低压化学沉积技术,以Zr-Br2-C3H6-H2-Ar为体系,1200°C在石墨基底上制备了ZrC涂层。研究了气体组分(源气C/Zr比)对ZrC涂层微观形貌及生长机制的影响。源气C/Zr比为1.5时,涂层的沉积过程为由表面反应机制为主,ZrC涂层较为疏松。源气C/Zr比为0.5~1时,扩散动力学是涂层的主要生长机制,所制备的ZrC涂层具有致密均匀ZrC涂层,并沿(200)晶面择优取向。同时,源气C/Zr比为0.5时,制备的ZrC涂层无自由碳存在并具有近化学计量比。 相似文献
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为探究界面层对SiCf/SiC复合材料性能的影响,选用国产第3代SiC纤维,通过先驱体浸渍裂解工艺制备了热解碳(PyC)、热解碳/碳化硅(PyC/SiC)、氮化硼(BN)、氮化硼/碳化硅(BN/SiC)4种界面层的三维机织角联锁SiCf/SiC复合材料。在此基础上,结合声发射技术对复合材料进行常温断裂韧性测试,并利用扫描电镜对其细观损伤模式进行评价。结果表明:界面层对三维机织角联锁SiCf/SiC复合材料的断裂强度和断裂韧性有强决定作用,但对其初始模量没有太大的影响;以PyC层为主界面层的试样具有良好的断裂韧性,试样P-SiCf/SiC和P/S-SiCf/SiC的断裂韧性分别为13.99和16.93 MPa·m1/2,而试样B-SiCf/SiC表现出强界面结合,具有最低断裂韧性6.47 MPa·m1/2;但在界面引入SiC层后,试样B/S-SiCf/SiC的断裂韧性显著提高至15.81 MP... 相似文献
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掺杂钛催化机理及其再结晶石墨导热性能的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、钛粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂钛再结晶石墨.考察了不同质量配比的添加钛对再结晶石墨的热导率、抗弯强度的影响以及微观结构的变化.实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂钛再结晶石墨的热导率、抗弯强度均有较大的提高.室温下,RG-15再结晶石墨的层面方向热导率可达424W/(m·k),抗弯强度可达50.2MPa.微观结构分析表明,少量的掺杂钛,即可使材料达到很高的石墨化度;过多的钛掺杂量不利于材料的热导率以及抗弯强度;原料中掺钛量为15wt%时,再结晶石墨的微晶发育以及排列程度最好,此材料的石墨化度为96.4%,微晶参数La为306nm.XRD物相分析表明,钛元素在再结晶石墨中以碳化钛的形式存在.钛对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用液相转化机理来解释. 相似文献
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连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiC/SiC)具有低密度、耐高温、低氚渗透率和优异的辐照稳定性的优点,在航空、航天、核能等领域具有广泛的应用前景。本文针对PIP工艺制备SiC/SiC复合材料周期长、孔隙率较高及易氧化的问题,通过料浆预浸料工艺在基体中引入氧化铝陶瓷形成SiC/Al2O3-SiC复相基体复合材料,并对复合材料制备工艺过程、微观形貌及力学性能进行系统表征。分析结果表明,SiC/Al2O3-SiC复相基体复合材料制备周期较传统PIP工艺大幅度缩短,且复合材料孔隙率明显降低,从11.6%左右降低至6%,拉伸强度为316.5MPa,提升了12.3%,弯曲强度与SiC/SiC相当,但层间剪切强度较低,仅为16.3MPa,有待进一步提高。 相似文献
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研究了在系统可编程(ISP)器件的功能定义数据下载的原理、规范,讨论了一种采用单片机控制的、接口可编程的ISP通用数据下载器硬件电路和软件程序的设计,为数字系统设计真正实现在系统可编程(ISP)提供了一种新的实用方法. 相似文献
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以假烧石油焦、煤沥青、铅粉及硅粉为原料,采用热压工艺制备了一系列掺杂再结晶石墨。研究了掺杂组元对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化.结果表明,掺杂锆使再结晶石墨的基本物理性能及其微晶结构有较大幅度的改善。在含锆石墨材料中,适当掺杂硅可提高材料的热导率,但是当锆的掺杂量为9%、硅的掺杂量大于2%(质量分数)时,再结晶石墨的常温热导率降低.双组元掺杂锆、硅使再结晶石墨的导电率和力学性能下降。在再结晶石墨中,掺杂的锆以碳化锆的形式存在,掺杂的硅大都以气态形式逸出,只有微量的硅以碳化硅的形式存在. 相似文献