非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析

文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟.模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元.     

磁记录介质晶粒磁相互作用参数△M及其测量方法

对于磁记录介质,记录噪声与晶粒间磁相互作用相关。△M是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数。首先介绍了它的理论依据和意义,接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁（IRM）和直流退磁剩磁（DCD）曲线,经过对测量数据的处理和计算获得△M曲线的方法和步骤,讨论了影响△M测量的相关问题。最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的△M曲线,定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型。     

非对称结构相变存储单元制备及性能研究

采用光刻、溅射以及剥离等微纳制备及加工工艺,实现了非对称结构相变存储单元的制备,并对该非对称相变存储单元进行了直流及脉冲电流写入电特性测试,测试结果表明,该非对称相变存储单元可实现非晶态与晶态之间的可逆相变,且脉冲电流写入的特性稳定。当写脉冲宽度分别为20ns、30ns、40ns时,最小写电流分别为1.45mA、1.38mA和1.25mA。写入脉冲宽度一定时,施加的写入脉冲电流越大,写入操作后相变单元相变层非晶化程度越高。     

阳极氧化铝底层对SmTbCo薄膜磁性能与结构影响的研究

采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜. 振动样品磁强计（VSM）测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大. 由薄膜断面的扫描电镜（SEM）照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构. 这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.     

AFM探针热磁写入中薄膜温度场的有限元模拟

针对光磁混合记录中微区热磁写入方式,提出利用原子力显微镜(AFM)内的显微探针将激光热源导入磁性薄膜,并采用有限元方法对TbFeCo磁性薄膜温度场进行模拟.模拟结果表明:磁性薄膜中,高于居里温度的区域范围与原子力探针针尖直径、薄膜厚度、激光能量之间存在紧密的关系.高于居里温度的区域范围随针尖直径呈线性增大,随薄膜厚度的增高而减小,在薄膜厚度超过15nm后趋于稳定.     

磁记录介质晶粒磁相互作用参数ΔM及其测量方法

对于磁记录介质,记录噪声与晶粒间磁相互作用相关.ΔM是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数.首先介绍了它的理论依据和意义,接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁(IRM)和直流退磁剩磁(DCD)曲线,经过对测量数据的处理和计算获得ΔM曲线的方法和步骤,讨论了影响ΔM测量的相关问题.最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的ΔM曲线,定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型.     

微波介质陶瓷的研究现状与发展趋势

微波介质陶瓷是现代通信技术中关键基础材料，它的应用越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状，并根据材料设计的思想对高性能微波介质陶瓷的发展趋势进行了探讨。     

SmDyCo薄膜的磁特性及微磁模拟研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了SmDyCo薄膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,SmDyCo薄膜垂直膜面方向矫顽力为353kA/m,矩形比为0.88;而平行膜面方向的矫顽力为10kA/m,矩形比为0.093,这表明SmDyCo薄膜具有垂直磁各向异性.对SmDyCo薄膜的微磁模拟结果与实验结果基本吻合.通过对SmDyCo磁性薄膜在外场下动态磁化过程的计算,发现薄膜的磁矩并不是从一个方向到另一个方向的直接转动过程,而是一种阻尼进动过程.薄膜磁矩转动过程瞬态图像也证实了这种现象.     

多孔氧化铝模板上TbFeCo薄膜的制备及磁性能

利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.     

Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.