GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究

采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。     

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型１．３μｍ激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于１０ｍＡ,在２５℃至９０℃温度范围内特征温度大于９０Ｋ,并表现出较好的单纵模特性。     

高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器，器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺，减小了暗电流，提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA，反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps，下降时间为30.45ps，半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。     

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。     

GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程，利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法，计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带，该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层，研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。