用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

华电国际邹县发电厂2×1000MW机组输煤系统犁煤器配电和控制方案的改进与应用

本文对输煤系统犁煤器传统配电和控制方案及改进后的配电和控制方案分别进行了阐述,对传统控制方案和电力线式现场总线控制方案进行了比较,并以邹县发电厂2×1000MW机组输煤系统犁煤器配电和控制方案为例,从技术和经济效益两个方面,对选用电力线式现场总线控制方案的使用效果及产生的效益进行分析。     

一个128×128CMOS快照模式焦平面读出电路设计

本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构——DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容C_bus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm²,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.     

光伏InSb器件钝化膜电特性研究

本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜     

国外红外焦平面相关技术发展

简要介绍了国外红外焦平面相关技术的发展情况。     

论中药炮制机械及其主要任务

通过对我国中药炮制机械制造企业现状的分析，对发展中药炮制机械的意义进行了探讨，并阐述了中药炮制机械面临实施炮制机械标准化战略、大力发展中药饮片“性状”加工设备、进行同行合作提升技术创新与竞争实力等新任务。     

CID焦平面技术取得重要进展

华北光电所的科技人员经全力拚搏奋战,于1990年6月在国内首次研制出了全集成1024元(32×32)Insb CID红外焦平面器件样品,性能达到一定水平,并进行了实验室演示凝视热成像试验。在7月份于北京召开的863高技术交流会上得到了专家、领导和同行     

应用自动逆洗方式过滤器对脱硫触媒进行劣化抑制

Ronningen－petter公司开发的ReactogardⅢ型逆洗式过滤器，采用常压、减压残油及减压轻油的氢化脱硫，分解装置的输送过滤对于防止触媒床的闭塞及触媒劣化抑制起到很大作用。我国在1967年，在世界刚建成的UOP公司RCD工艺指导下，已经取得85台含有1400多根的运转好成绩。近年，随着输入原油性质变化，设备的运转条件趋向于残酷化。与此对应的完全自动化和维护迅速的ReactogardⅢ型逆洗式过滤器，可以把原油中的混入固体成分、金属成分及各种异物除去，脱硫、分解装置的运转效率提高。逆洗式过滤器的基本构想。     

提高建筑工程管理的相关措施之我见

随着我国建筑企业经济的发展,其管理水平的高低对于建筑企业的长远发展具有非常重要的意义。本文结合工作实际,对于建筑管理中常见的问题进行简单地分析,并提出相应的策略。