增加深层下传能量的野外试验及理论分析

在辽河盆地长滩,曙北,大平房等地区进行野外试验的基础上,本文通过对大量实际试验资料的定量分析和采用射线追踪法理论模拟,开展了有效反射波传播与衰减规律,不同激发方式和三维观测系统对深层反射能量的影响等问题的研究,获得了深层地城勘探野外采集参数的优选及增加深层下传能量的有关认识,这对野外深层资料集具有一定的指导和参考作用。     

X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器

本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。     

含铝炸药造型粉流动特性影响因素研究

以A-IX-II炸药为参比标准,使用自行研制的流散性测量系统,研究了含铝炸药造型粉流散性的影响因素,并进行了分析。结果表明:喷雾造粒工艺制备的样品流散性优于直接法工艺;当炸药细颗粒占比在30%左右,颗粒粒度分布范围越宽时,流散性较好;适当的温度可以提高造型粉的流散性,而当造型粉处于干燥状态时流散性较好,即湿度对造型粉流散性影响较大。此研究结果对炸药自动化装药工艺的研究具有实际的指导意义。     

聚乙烯醇硫酸钾的合成及表征

用不同牌号的聚乙烯醇(PVA)制备聚乙烯醇硫酸钾(PVSK),用BaCl2滴定法测定了它们的酯化度.讨论了PVA聚合度和水解度对PVSK酯化度的影响,确定了制备高性能PVSK对PVA的选择性.用红外光谱法对合成的高酯化度PVSK进行了表征,并与日本生产的高酯化度PVSK进行了比较.     

Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用

垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｃａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得Ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。     

1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器

用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33％.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.     

InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H~+轰击掩膜研究

在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。     

室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。