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1.
2.
分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。 相似文献
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4.
硫酸铵盐制备氧化铝粉体及透明氧化铝陶瓷的微观结构 总被引:1,自引:0,他引:1
通过X射线衍射及扫描电镜,对在生产线上硫酸铵盐制得的类球形高纯氧化铝粉体进行了表征,并探讨了粉体表观特征对透明氧化铝陶瓷微观结构的影响.结果表明:在温度超过1 200 ℃时,获得的氧化铝粉体为三方α-Al2O3类球形晶粒,粉体中未发现γ-Al2O3.粉体的比表面积对陶瓷的烧成收缩有重要影响.采用干压成型时,具有适当低的比表面积的粉体制备透明氧化铝陶瓷时,有利于稳定其晶相结构,晶粒尺寸与粉体的比表面积有一定的关系. 相似文献
5.
所谓Mo-Mn法和纯Mo法是通过金属化、镀Ni和其后硬焊而形成的陶瓷和金属气密封接的方法.关于Mo-Mn法Al~2O~3瓷和金属的封接,作者在以前的文章中业已报导。本文所研究的是用含MnO的92%Al~2O~3的圆片,以纯Mo法对可伐另件进行了封接。并研究了封接层的抗张强度和封接件的真空气密性. 用光学显微镜和电子扫描显微镜以及电子探针对封接层进行了检验. 为了解纯Mo法的封接机理,石英玻璃和Mo箔的封接也附带地进行了观察。本文所得的结果如下: (1)当1400-1400℃/60分进行陶瓷金属化时,获得了最高的封接强度和最好的真空气密性。 (2)封接处是按下列顺序的多层所组成:陶瓷-金属化层-镀Ni层-硬焊料层-镀Ni层-可伐。在Mo-Mn法的封接中,看到了陶瓷和金属化层之间的中间层。而在纯Mo法中,则认为是不存在的. (3)在石英玻璃-Mo箔封接中,Mo金属表面层被氧化,如此形成的Mo氧化物扩散到石英玻璃中而形成了过渡层,从而十分有利地降低封接应力和改善粘结 (4)SiO~2-MnO-Al~2O~3系统玻璃相和Ni填充了Mo金属化层的孔隙;前者来自于陶瓷体,而后者来自于镀Ni层。这些物质的浸润和相互扩散得到了强固的和真空气密的封接层。 相似文献
6.
金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了金刚石膜的性能和制备方法,着重介绍丁国内外常用的封接工艺,讨论了该材料在mm波器件中的应用前景。 相似文献
7.
真空电子器件是电子工业器件中最重要的器件之一,其主要的部件之一是绝缘外壳。外壳的共同要求是真空气密性好、机械强度高、绝缘性能优良等。某些器件(例如真空开关管)还要求真空器件寿命保证20年之久。目前国内外真空开关管绝缘外壳大多采用95%Al_2O_3陶瓷与活性Mo-Mn法封接工艺,产品质量上国内不如国外的,国内产品只应用于低端市场。本人对真空开关管绝缘外壳进行了比较系统的研究分析,提出了我国Al_2O_3粉体和高Al_2O_3陶瓷的不足之处和相应的改进措施。 相似文献
8.
本文叙述了ZrO2陶瓷用等静压工艺的制造方法,确定了ZrO2陶瓷和金属封接的工艺参数,并且阐明了界面反应层的XPS图谱。 相似文献
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