Li6Gd(BO3)3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能

采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm，长40mm的Li6Gd（BO3）3：Ce晶体，XRD分析表明，生长出的晶体为单一的Li6Gd（BO3）3：Ce相，结构属P21／c空间群．对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论，并从晶体结构的角度解释了（020）完全解理面出现的原因．晶体在380-800nm之间的透过率接近90％，200-380nm之间的吸收是由Ce^3＋离子的4f-5d跃迁和Gd^3＋离子的4f-4f跃迁引起的．不同激发源激发下的发射均显示Ce^3＋离子的双谱峰特征；相比于紫外激发下的发射而言，X射线激发下的发射光谱略有红移．该晶体发光符合单指数衰减模型，衰减时间为30．74ns，在241^Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28．84％．     

金属氧化物溶胶-凝胶法制备技术及其应用

具体介绍溶胶－凝胶方法应用在金属氧化物制备中的三大类：胶体溶胶－凝胶法、金属有机化合物聚合凝胶法和有机聚合玻璃胶法,并探讨了它们各自的适用范围。重点讨论铁电材料制备过程中的粉体团聚和膜裂纹扩展等有关问题。     

PMN-PT弛豫铁电粉体的溶胶-凝胶法制备及其性质

以无机盐或氧化物Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＴｉＣｌ_４和Ｐｂ（ＡＣ）_２、３Ｈ_２Ｏ为原材料,柠檬酸和ＥＤＴＡ为复合螫合剂,乙二醇为溶剂,分别制备Ｎｂ、Ｍｇ－Ｎｂ、Ｔｉ和Ｐｂ的有机化合物前驱液,采用溶胶－凝胶工艺制备ＰＭＮ－ＰＴ弛豫铁电陶瓷粉体及其烧结体．讨论了制备工艺和螯合剂等对金属有机化合物溶液的性质、材料物相形成和介电性能的影响．     

光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性

研究了80-500K范围内，光激发下Li6Gd（BO3）3：Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性．在346nm光激发下，热猝灭占优势，发光随温度升高而降低．在274nm光激发下，发光由Gd^3＋向Ce^3＋的能量传递和热猝灭共同决定：低于200K时，能量传递占支配地位，发光随温度升高而增强；高于200K时，热猝灭占优势，发光随温度升高而减弱．225K以下，辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而略有增大；225K以上，无辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而减小．利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式，获取的激活能分别为0．33和0．32eV．     

坩埚下降法生长大尺寸Bi12GeO20晶体的宏观缺陷

Bi₁₂GeO₂₀晶体是一种多功能光电材料,在可见光范围内具有高速光折变响应,以及良好的压电、声光、磁光,旋光和电光等性能。目前,提拉法生长Bi₁₂GeO₂₀晶体,存在生长成本高、晶锭形状不规则、生长产率低、晶体光学质量差和有效晶体截面小等问题。本研究率先采用改进的坩埚下降法,在铂金坩埚和空气气氛中生长大尺寸Bi₁₂GeO₂₀晶体。通过各种分析测试方法研究生长获得的Bi₁₂GeO₂₀晶体中宏观缺陷的形态、分布和成分构成,探讨了晶体生长过程中主要宏观缺陷的形成过程和成因。坩埚下降法生长的Bi₁₂GeO₂₀晶体存在两种主要宏观缺陷：枝蔓状和管状包裹体。其中,枝蔓状包裹体与铂金溶蚀后的析晶相关,而管状包裹体与铂金析出、接种界面不稳定性和温度波动有关。本研究提出了消除坩埚下降法生长晶体中宏观缺陷的技术途径,通过降低生长控制温度、缩短高温熔体保持时间和优选籽晶等措施,可重复地生长...