AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制

80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高级器件的制作越来越倚重于材料结构生长了。 汇能公司是中国节能投资总公司与信息产业部第十三研究所合资兴办的一家高科技公司。该公司于1998年投资从德国AIXTRON公司购买了一台AIXTRON-2400型MOCVD设备,用于生长高亮度发光二极管(LED)的AlGaInP/GaAs半导体     

MoCVD生长重掺碳GaAs

以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10~(20)/cm~3,相应的迁移率为37cm~2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。     

MOCVD GaAs中剩余杂质的研究

使用MOCVD技术生长GaAs,结果表明,纯度GaAs中起支配作用的电活性杂质是C和Si。综合C和Si的作用,建立了简单的热力学模型,得到As/Ga比对载流子类型和浓度影响的解析表达式,并且与实验结果符合得很好。生长的GaAs外延层室温载流子浓度为9×10~(14)cm~(-3),迁移率为5100cm~2/V·s。     

GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

常压MOVPE生长的调制掺杂GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构

用常压金属有机物汽相外延(AP-MOyPE)生长出单周期和多周期的调制掺杂GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构。在300K、77K和4K下,对应面载流子浓度为7.4×10~(11)cm~(-2)、8.3×10~(11)cm~(-2)和3.9×10~(11)cm~(-2)的单周期结构的电子迁移率分别为6700、80000和90000cm~2.V~(-1).s~(-1)。据我们所知,在AP-MOVPE生长此结构的报导中,这些数值是最好的。用于场效应管的初步结果表明,当温度由室温降到77K,跨导增加了两倍,此外,我们报导了在“反置”结构中提高了迁移率。所谓“反置”结构,就是传导积累层定位于(Ga、Al)As上生长GaAs所形成的界面上。     

AlGaInP红、橙、黄光高亮度LED外延材料

采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。