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全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
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盐家油田油水井结垢原因探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
对地层温度65~75℃的盐家油田油水井近井地带、井底、井筒发生严重结垢的原因进行了分析探讨。7口油井采出的地层水均为NaCO3型水.矿化度6.4~10g/L,HCO3浓度高(1.6~3.7g/L),Ca^2++Mg^2+浓度较低;1口水源井水及1口水井注入水为CaCl2型水,矿化度32~33g/L,Ca^2++Mg^2+浓度高(3.1~3.8g/L)而HCO3浓度低;采用CaCO3饱和指数法和CaSO4热力学溶解度法预测,在70℃下所有水样均有CaCO3结垢趋势,除3口油井采出的地层水外,均有CaSO4结垢趋势。3口油井采出的地层水与水源水在25℃按不同比例混合后,悬浮物含量大幅度上升。在70℃放置7天后再次大幅度上升,烘干的悬浮物易溶于稀盐酸.其主要成分为碳酸盐.说明注入水、地层水不配伍。1口电泵采油井和1口注水井油管垢样含盐酸可溶物(碳酸盐)超过90%。讨论了碳酸盐、硫酸盐垢的生成条件:温度、压力及pH值。图1表4参3。 相似文献
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一、前言我所与常德电光机械厂合作,在缺乏图纸资料的情况下,对瑞士阿尔玛公司的全套绕丝设备进行了解剖分析,认真消化进口先进技术,並根据我国的具体情况,提出了该套设备国产化的途径,为我国自行设计生产 相似文献