UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管

本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好.     

Ca2SiO4和NaFeO2的反应和铝酸盐熟料配方的优化

用X射线衍射(XRD)和红外吸收光谱(IRS)研究了Ca_2SiO_4—NaFeO_2系的反应产物,证明其中含CaFe_2O_4和Na_4Ca_8(SiO_4)_5。热力学计算表明Ca_2SiO_4-NaFeO_2不是互易系的稳定对Na_4Ca_8(SiO_4)_5和铝酸钠溶液作用生成Ca_3[Al(OH)_6]_2(或其固溶体),使熟料Al_2O_3溶出率降低。用模式识别方法从工业生产技术记录中总结出熟料配方优化数学模型,并给出理论解释。     

用无机盐制备非载体Al_2O_3薄膜的溶胶－凝胶法研究

结晶三氯化铝经溶解、水解、胶溶制备了Ｂｏｅｈｍｉｔｅ（γ－ＡｌＯＯＨ）溶胶，然后在石英玻璃上制备出表面光滑、平整、颗粒大小均匀的γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜。ＤＴＡ分析表明：Ｂｏｅｈｍｉｔｅ凝胶膜在２５８．７℃开始失水而转化为γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜。     

化学生物敏感器件用SOS材料

<正> 在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上异质外延生长硅单晶膜(简称SOS),在集成电路上有着重要的应用。然而,这种SOS材料在敏感器件方面也有着广泛的应用。苏、美相继于七十年代末研制出蓝宝石晶体压力传感器,并有商品     

GaAs中空穴陷阱A,,B能级的热力学性质

从GaAs中空穴陷阱A,B能级的结构缺陷模型与该二陷阱浓度和外延温度的关系导出了生成反应Ga_(As)As_(Ga)+(V_(Ga))_2~-+e~-=As_(Ga)V_(Ga)~-+Ga_(As)V_(Ga)~-的平衡常数K_T和生成自由能ΔG°,本研究成果可望在实际生产中获得应用。     

化学模式识别分类图的构造及其在材料研究中的应用

分类图是用于多变量数据分析中的一种独特手段。本文提出的“Ｆｐ映射”是一种基于模式识别判别分析的分类图构造方法,能直观地描述多变量空间中目标变量及其影响因素间的定性或半定量关系。给出了它在材料研究方面的应用实例。     

Study of Properties of Intermetallic Compounds of Rare Earth Metals by Artificial Neural Networks

ＹａｎＬｕ－Ｍｉｎｇ；（严六明）；ＺｈａｎＱｉａｎ－Ｂａｏ；（詹千宝）；ＱｉｎＰｅｉ；（钦佩）；ＣｈｅｎＮｉａｎ－Ｙｉ；（陈念贻）（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００５０...     

非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究

<正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面.