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1.
采用X射线荧光分析仪、X射线衍射仪、N2物理吸附仪、场发射扫描电子显微镜等仪器表征了苏州、广西和美国佐治亚州3个产地的高岭土,并以此3种高岭土为原料制备了模型催化裂化(FCC)催化剂,在ACE评价装置上对比了模型催化剂的反应性能。结果表明:苏州及广西高岭土主要组分为高岭石,佐治亚高岭土主要组分为地开石及珍珠陶土;苏州高岭土呈片状,还含有少量棒状颗粒;广西高岭土呈多层片状,晶粒粒径较大;佐治亚高岭土呈薄片状,晶粒粒径较小;3种高岭土制备的模型催化剂反应活性、Na2O及RE2O3质量分数相近;广西高岭土制备的模型催化剂具有最大的孔体积和磨损指数,但比表面积最小,具有较强的重油转化能力,其目标产物(液化气+汽油)和副产物(干气+焦炭)收率都高于苏州、佐治亚高岭土制备的催化剂的。 相似文献
2.
3.
模拟催化裂化高温水热再生环境,采用X射线衍射、N2物理吸附、高分辨电子透射显微镜与NH3-程序升温热脱附等方法,研究了重金属元素钒(V)对催化剂活性组分水热超稳Y型分子筛(USY型分子筛)的破坏行为;在此基础上,研究了稀土氧化物氧化镧(La2O3)对重金属V的捕集作用。结果表明:当分子筛负载较高质量分数的V时,分子筛的晶体结构遭到严重破坏;与未负载V的催化剂相比,负载质量分数为0.5%的催化剂,转化率降低了16.3个百分点,目标产物(液化气和汽油)收率显著降低,副产物干气、焦炭收率大幅增加;向模型催化剂中添加La2O3可以提高催化剂的重金属V捕集能力,在V负载质量分数为0.6%的情况下,含有La2O3的模型催化剂的原料油转化率和目标产物收率大幅增加。 相似文献
4.
6.
7.
目的 在316L不锈钢(SS)表面构建原位一氧化氮(NO)催化释放涂层,使其能特异选择性地抗凝血、抑制平滑肌细胞(SMCs)增生,从而促进内皮细胞(ECs)生长。方法 在弱碱性水溶液中,选用多巴胺(DA)和己二胺(HD)为前驱体,利用多巴胺邻二苯酚结构自聚合沉膜的能力、多巴胺与己二胺的酚–(胺)表面化学,通过简单的一锅法在316L SS表面构建富氨基粘附涂层DA/HD。再通过碳二亚胺化学交联反应,共价接枝螯合Cu2+的1,4,7,10–四氮杂环十二烷–1,4,7,10–四羧酸(DOTA),最后获得均匀且稳定的NO催化释放涂层(命名为Cu-DOTA@DA/HD)。结果 DA/HD涂层表面的氨基密度高达22 nmol/cm2,实现了Cu-DOTA的有效固定,其NO催化释放速率可达5.2×10–10 mol/(cm2·min)。Cu-DOTA@DA/HD涂层显著地抑制了血小板的粘附和激活,也能有效抑制血栓的形成,其表面血栓总质量由316L SS的(40.3±10.3) mg降低至(3.0±0.4) mg。... 相似文献
8.
高钛钢具有较高的耐磨性、韧性、强度及晶间抗腐蚀性,已得到较普遍应用.针对高钛钢板坯连铸过程凝固传热与理论压下量开展了数值计算研究,结果表明:拉速1.0 m/min时,高钛钢在结晶器出口位置坯壳厚度约15mm,凝固终点距弯月面约20.4 m,两相区长度约10.8 m,拉速每增加0.1m/min,结晶器出口坯壳厚度减小约0.2 mm,凝固终点向后移动1.7 m,两相区长度增加约0.9 m,不同拉速时,补缩两相区凝固收缩所需理论压下量基本相同,约为2.2 mm. 相似文献
9.
通过研究洞口形状对腹板开洞钢-混凝土组合梁受力的影响,选择合适的洞口形状以降低开洞造成的不利影响;在已有试验基础上,利用ANSYS对洞口设置在弯剪区段且洞口形状不同的组合梁进行力学性能分析,研究了洞口形状对承载力、变形能力以及内力重分布和传力机制的影响。结果表明:钢-混凝土组合梁腹板开洞会导致刚度、极限承载力下降;非正方形洞口组合梁因洞口形状不同,极限变形有不同程度增强;洞口形状会影响洞口处混凝土、钢梁承担的剪力比例,混凝土占总剪力的46%~59%,而钢梁占总剪力的41%~54%;极限变形与洞口处塑性铰的面积大小有关;栓钉会对周围的混凝土产生一定预压力,对混凝土应力重分布有影响,洞口处混凝土的剪力有明显的剪力差,洞口下方钢梁所承受的剪力大于洞口上方钢梁;洞口形状会影响组合梁内部传力机制,长方形、正方形洞口试件在洞口区域以次弯矩传递力,非长方形、正方形洞口试件在洞口区域以主弯矩传递力;在结构设计时应该考虑洞口位置的偏心、主应力方向与洞口边缘的夹角。 相似文献
10.
超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位VO+在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位VO+对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位VO+经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,... 相似文献