萃余水相中环烷酸的容量法测定

研究了用磺化煤油萃取分离富集溶解在萃余水相中的环烷酸 ,然后用 KOH-乙醇标准溶液滴定测定萃余水相中环烷酸的质量浓度 ,籍此建立了一种简便、准确、快速、实用的环烷酸分析方法。本方法与分光光度法比较 ,分析结果相吻合 ,相对误差 <± 5%。     

诱导成核生长LiNdP_4O_(12)晶体

本实验改进了助熔剂缓冷法生长LiNdP_4O_(12)晶体工艺。采用加铂丝诱导成核和合适的温控程序,可以大大减少结晶成核个数,从而增大了单晶尺寸,提高了光学质量晶体的产率。获得的光学质量片状单晶,一般尺寸为8×6×3mm,最大达到12×10×2mm。     

铁在氨基磺酸溶液中的腐蚀速率

本工作用腐蚀失重和化学分析方法研究了铁在0.5～2N 氨基磺酸溶液中,在25～70℃条件下的腐蚀速率。根据这些腐蚀速率数据,利用 Mathur 提出的经验公式计算出铁在氨基磺酸溶液中腐蚀反应的动力学参数 K、B、E 和 A。把这些动力学参数同 Mathur 在 H_2SO_4、H_3PO_4、HCI 溶液中得到的动力学参数进行比较。结果表明,铁在所有四种酸中腐蚀时的能量障碍完全相同,而动力学参数 K.B 和 A 则随着酸种类的不同和酸浓度的变化而显著变化。铁在酸中的实际腐蚀速率是所有这些动力学参数综合效应的结果。在低浓度(0.5～2.0N)范围内,铁在氨基磺酸溶液中的腐蚀速率仅仅比在硫酸溶液中低,而比在磷酸和盐酸溶液中都要高。     

提高ZnO变阻器电性能的研究

ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用.本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂.并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流冲击等电性能有了大幅度的改善.     

提高ZnO电阻片电性能的研究

ZnO电阻片电气性能的提高对金属氧化物避雷器的运行可靠性起着重要的作用。采用振动磨加搅拌球磨及行星高能球磨工艺后,ZnO电阻片的烧成体积密度提高了0.97%,梯度提高了约30V/mm,U5kV/U1mA降低了0.1左右,600A/2ms方波全部通过。采用药膜04作为粘结剂,优化了成型粒料匹配,流动性提高了39s,坯体的微观结构均匀,ZnO电阻片方波通过率有所提高。应用纳米材料于有机绝缘层中,D5ZnO电阻片的筛选合格率从92.3%提高到98.5%,D6ZnO电阻片的筛选合格率从91.2%提高到98.3%,D7ZnO电阻片的筛选合格率从90.1%提高到97.8%。4/10大电流耐受能力也明显提高,!30ZnO电阻片4/10大电流耐受能力达65kA。     

红外激光窗口KCl多晶材料的制备和性能

采用热锻工艺,可得到用于红外激光窗口的致密多晶KCl,它基本上不改变原单晶的光学特性,机械强度取决于热锻工艺参数。该材料用作激光窗口,能避免单晶中存在解理。     

四磷酸钕锂晶体的生长和性能

用熔剂法生长了四磷酸钕锂晶体,获得尺寸为9×5×2mm的单晶。测得其密度为3.40g/cm~3,硬度为520kg/mm~2,折射率(白光)为n_α=1.605,n_b=1.011,n_c=1.617。测定了晶体的光谱特性,并用若丹明6G染料激光器泵浦获得了1.047μm激光输出。     

氧化锌阀片的无损检测

<正> 一、引言氧化锌阀片的通流能力是一个重要的技术指标。目前,国内氧化锌阀片的通流容量检测均采用破坏性试验,这种方法的缺点是: 1.采用抽样检查,以点代面有一定的局限性; 2.阀片经破坏试验后不能再用; 3.检测的准确性较差,很容易漏检。     

高透过低吸收KCl单晶生长

本文介绍一种生长卤化物单晶的方法——注入式反应气氛下降法(称IRABP法).采用该法已获得φ75×75的优质 KCl单晶。用10.6μmCO_2激光量热卡计测量单晶的体吸收系数β_(10.6■1～2×10~(-4)cm~(-1)。讨论各种工艺参数对晶体质量的影响。