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1.
随着当前计算机技术日新月异的发展趋势,不断有新的音视频编码格式与标准出现。本文结合目前流行的音视频编码格式与码率计算做一些简介,希望对读者了解计算机上的音视频码率显示信息与设置有所帮助。音频部分1、音高、音色音高:国际通用的标准音高(第一国际高度)是440Hz的a音,  相似文献   
2.
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 ,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能  相似文献   
3.
混杂纤维混凝土抗压和抗拉性能试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究钢-聚丙烯混杂纤维混凝土的抗压、抗拉性能和增强机理,制备和易性良好、可以泵送施工的素混凝土(PC)、聚丙烯纤维混凝土(PFRC)、钢纤维混凝土(SFRC)和混杂纤维混凝土(HFRC),对设计强度为C50的4种材料进行立方体抗压和劈裂抗拉试验。结果表明:HFRC的立方体抗压强度分别比PC、PFRC和SFRC的增加6.5%、10.9%和1.8%。HFRC的劈裂抗拉强度分别比PC、PFRC和SFRC的增加12.59%、7.04%和1.56%。可见,混杂纤维对立方体抗压强度和劈裂抗拉强度增长效果显著。PC和PFRC在试验中均发生脆性破坏,而SFRC和HFRC均发生延性破坏。通过对比4种材料的抗压和抗拉性能,可为混杂纤维的增强机理研究提供基础。  相似文献   
4.
根据数控系统对现场总线通信的可靠性和效率需求,在分析传统通信机制的实时性和效率问题及其产生根源的基础上,提出一种基于硬件链路层重发机制的高效可靠通信机制,将其应用到数控系统中,消除了层间协议转换和操作系统的中断延迟等开销。实验结果表明,该机制具有较高的实时性和通信效率,能够满足高档数控系统的应用需求。  相似文献   
5.
镍掺杂对尖晶石型LiMn2O4结构及电化学性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
陈猛  杨闯  肖斌 《稀有金属》2006,30(4):453-456
采用分步加热高温固相合成法,合成了尖晶石型LiNixMn2-xO4正极材料.用X射线衍射对材料的晶体结构进行了表征和晶胞参数的分析,并进行了电化学性能的研究.实验结果表明,Ni的掺杂对样品的晶胞参数和电化学性能有很大的影响,随着掺镍量的增加,电荷迁移电阻增加.当掺杂量x=0.1时,样品的首次放电容量达到98.2 mAh·g-1,经过100次循环,容量保持在92%以上,样品的循环性能得到了很大的提高.  相似文献   
6.
数控系统现场总线可靠通信机制的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
现场总线的应用是数控系统发展的必然趋势.为满足数控系统的高可靠通信需求,在分析数控系统加工精度与可靠通信关系的基础上,设计一种现场总线可靠通信机制.针对该机制,建立数控系统通信可靠性评价的指标,提出以无故障通信时间来衡量现场总线通信的可靠程度;通过概率统计方法,对该机制的可靠性进行数学分析,得出现场总线通信可靠性与通信...  相似文献   
7.
以武钢条材总厂CSP分厂冷轧用热轧带钢的局部高点缺陷为研究对象,分析了局部高点产生的原因,并提出了采用轧制工艺控制手段的改进措施。改进后,工作辊窜辊范围更广,窜动位置分布曲线更合理,轧辊的磨损量和不均匀磨损明显减小,磨损曲线也趋于平滑;避免了带钢局部过冷现象,消除了带钢断面"猫耳朵",提高了板形控制效果,延缓了局部高点缺陷的产生。  相似文献   
8.
1.前言2006年随着65纳米工艺的成熟,英特尔公司65纳米生产线步入大批量生产阶段。除英特尔外,美国德州仪器、韩国三星、日本东芝等世界上重要的半导体厂商的65纳米生产线也纷纷投产。45纳米处在研发阶段,如英特尔己有两座12英寸厂开始试  相似文献   
9.
郑望  陈猛  陈静  林梓鑫  王曦 《半导体学报》2001,22(7):871-874
用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.  相似文献   
10.
本文利用多离子束反应共溅射装置,分别在Si和MgO衬底上原位制备了PbTi氧化物薄膜。研究表明,利用多离子束反应共溅射技术,可以显著降低薄膜后续热处理的温度;薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Pb的含量有关;较之Si衬底,在MgO衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的现象,从衬底与薄膜相互作用的角度进行了讨论  相似文献   
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