高纯金属和半导体材料分析会议在杭州召开

冶金部冶金分析情报网有色专业组举办的冶金部高纯金属和半导体材料分析经验交流会,在峨嵋半导体材料厂、上海冶炼厂、沈阳冶炼厂、洛阳半导体材料厂和北京有色金属研究总院的筹备和组织下,于1979年11月10日至16日在浙江省杭州市举行。这是自1965年第二次全国高纯分析会议以来,     

锆铝合金消气剂吸气性能的测试

本文论述了锆铝合金消气剂吸气性能测试的方法和装置,以及测试中的主要影响因素。利用恒定消气剂表面压强(Pg)的动态定压法,对我院研制、生产的锆铝合金消气剂对N_2、CO和H_2的吸气能力,以及激活特性作了初步研究。并同SAES公司的同类型产品作了比较测定。     

导体分析的现状和发展

半导体分析是一门涉及技术十分广泛、内容极其丰富的课题,小西文弥以硅为例提出如表1所示的内容和方法。本文根据近十年来的文献,按表面和薄膜分析、气体分析及体分析三个方面,就国外半导体分析的现状作一概述。     

半导体分析(上)

一、序言 半导体需要进行埃(A)量级的薄膜分析、微米范围的微区分析、纵向的浓度分布分析和ppb级的超微量分析,而且被测定的元素大多属于轻元素(Si、B、P、Na等)。具有上述特征的半导体分析随着半导体器件(从晶体管到高集成度半导体器件)的进展获得了发展。特别是薄膜分析和纵向的浓度分布分析,由于半导体器件制造—杂质注入技术等的进展而获得了飞速的发展。关于半导体分析的综述在《分析化学》和《应用物理》杂志(日刊)已有报道,半导体厂商目前所使用的分析仪     

半导体分析(下)

三、体分析 进行半导体材料的体分析——硅、锗和化合物半导体整体材料中的杂质分析,要求采用高灵敏度的分析方法。目前主要采用活化分析法、固体质谱分析法和发射光谱分析法。 (一)活化分析 活化分析法对大多数元素检测灵敏度高,许多元素具有毫微克的检测灵敏度。但是,活化分析因主成分的基体材料也由于中子等活化发生核反应,所