大功率激光窗口ZnSe的制备原理及方法

比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.     

CVD方法制备ZnSe系统中尾气的处理

CVDZnSe是目前光学性能最好的红外光学材料之一。但在制备CVDZnSe时，尾气中未反应完全的剧毒硒化氢气体，对操作人员及环境的危害很大。采用逆流填料塔来吸收CVD方法制备ZnSe系统中的剧毒尾气硒化氢。为加快传质速率，提高吸收率，选用NaOH溶液作吸收液；利用H2Se气体与此溶液反应，降低气体在水溶液中的浓度，加大传质推动力；选择了具有高效分离因子的填料以减小塔身的高度和直径。并且对循环吸收液进行氧化，双重过滤等处理。最后用型号为TX—FMD的H2Se检测仪测量处理后的尾气中H2Se气体的含量，达到排放要求。     

长波红外消色差锗砷硒玻璃的研制

介绍了利用自制的合成反应炉制备长波红外消色差GeAsSe玻璃的方法.重点讨论了影响材料透过率的氧吸收,影响折射指数均匀性及影响力学性能的组分不均、热应力、夹杂物(玻璃态、气泡和固体)等缺陷的产生和消除.     

大口径多光谱ZnS头罩的研制

多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用.化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术.介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270 mm大口径多光谱ZnS头罩.经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01 cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5硬度160 kg/mm2、抗弯强度70 MPa、断裂韧性1.0 MPa·m1/2.与美国Rohm＆Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平.     

原生CVDZnSe、CVDZnS晶体内Zn-H络合物含量不同的机理分析

化学气相沉积ZnSe与ZnS晶体结构及物理性能近似,但原生ZnS在6．2μm处存在由Zn-H络合物引起的明显的吸收峰,其中的H来源于未分解的含H反应气体,而原生ZnSe则无此现象。比较分析它们的沉积条件(温度、压力)以及反应气性质后认为：ZnSe相对较高的沉积温度和反应气之一的H2Se低的分解温度是主要的原因,同时高温可减弱含H缺陷对ZnS光学性能的影响;其次,ZnSe沉积中压力低使反应物浓度降低且有利于未参与反应的H2Se气体返回主气流减少了ZnSe晶体中Zn-H络合物的含量。     

热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响

对化学气相沉积(CVD)ZnS经热等静压(HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析。针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述。实验表明，热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用，随处理温度的升高，透过率在1010～1050℃之间出现峰值；原生样品厚度的影响不容忽视，导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大，光学及力学性能要好于厚样品。     

CVD工艺中气体流型的研究

化学气相沉积(CVD)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的CVD过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题.本文采用简化装置对CVD工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响.     

CVD复制技术制备ZnS头罩

为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法.着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求.