APT煅烧工艺对WO2.72晶体生长机制的影响

利用工业回转炉,在不同温度和保温时间下煅烧仲钨酸铵(APT)粉末制备WO_2.72粉末。结果表明,在煅烧温度高于800℃时可获得单相WO_2.72粉末。煅烧温度强烈影响WO_2.72晶粒的形貌和尺寸,随温度升高至大约770~800℃,其形貌由细长针状晶粒向短粗棒状晶粒转变。对于细长针状晶粒,随温度升高,其直径微量增大,长度急剧增大,生长机制为单晶晶粒形核,向APT颗粒内部生长,伴随有APT颗粒表面微量的WOx·nH₂O气相沉积,然后还原长大;对于短粗棒状晶粒,随温度升高,结果相反,其生长机制是通过多个晶粒成束形核,共同向APT颗粒内部生长成棒状晶粒。随保温时间延长,WO_2.72棒晶的形貌无明显变化,其直径和长度微量增大。     

直流电弧原子发射光谱法测定超细碳化钨中痕量元素

超细碳化钨(WC)主要用于生产棒材硬质合金,一般含有0.1％～1.0％的碳化钒(VC)或碳化铬(Cr3 C2),具有细化晶粒作用,提高棒材合金强度.超细碳化钨中痕量元素对合金性能具有重要的影响.因此建立一种快速测量超细碳化钨中痕量元素检测方法具有重要的生产指导意义.实验采用直流电弧原子发射光谱仪,建立了快速测量超细碳化...     

碳酸钴不同煅烧工艺对氧化钴相成分和形貌的影响

研究不同煅烧工艺对碳酸钴分解获得氧化钴粉末的相成分和形貌的影响。结果指出:在含氧气氛充足下,500~700°C范围都分解获得单相Co_3O_4粉末;随煅烧温度升高,Co_3O_4的粒度增大;低于700°C,可获得纳米级晶粒的Co3O4粉末,但温度过低时,获得的氧化钴粉末经研磨破碎后再团聚严重;高于700°C,晶粒急剧长大。随通风量和含氧气氛降低,氧化钴粉末中CoO的含量增加。随CoO含量增加,相同工艺下氢还原获得钴粉粒度变化较小,但氧含量下降,且FCC-Co相增多。