首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   581409篇
  免费   8580篇
  国内免费   1846篇
电工技术   11308篇
技术理论   1篇
综合类   1346篇
化学工业   92556篇
金属工艺   24322篇
机械仪表   19361篇
建筑科学   13583篇
矿业工程   4606篇
能源动力   14906篇
轻工业   47329篇
水利工程   7267篇
石油天然气   15516篇
武器工业   145篇
无线电   61883篇
一般工业技术   118256篇
冶金工业   96834篇
原子能技术   14834篇
自动化技术   47782篇
  2022年   4497篇
  2021年   6431篇
  2020年   4660篇
  2019年   5781篇
  2018年   9733篇
  2017年   10045篇
  2016年   10383篇
  2015年   6726篇
  2014年   11167篇
  2013年   27120篇
  2012年   16881篇
  2011年   22288篇
  2010年   17954篇
  2009年   19739篇
  2008年   19945篇
  2007年   19520篇
  2006年   17002篇
  2005年   15313篇
  2004年   14381篇
  2003年   13988篇
  2002年   13544篇
  2001年   13125篇
  2000年   12550篇
  1999年   12224篇
  1998年   27942篇
  1997年   20250篇
  1996年   15810篇
  1995年   12121篇
  1994年   10954篇
  1993年   10701篇
  1992年   8378篇
  1991年   8130篇
  1990年   8034篇
  1989年   7793篇
  1988年   7503篇
  1987年   6767篇
  1986年   6547篇
  1985年   7415篇
  1984年   6714篇
  1983年   6454篇
  1982年   5790篇
  1981年   5915篇
  1980年   5647篇
  1979年   5744篇
  1978年   5675篇
  1977年   6192篇
  1976年   7705篇
  1975年   5116篇
  1974年   4903篇
  1973年   4983篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
3.
4.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
5.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
6.
Journal of Computer and Systems Sciences International - It is shown that the Lyapunov theorem on the distribution properties of the sum of random variables with different distribution densities...  相似文献   
7.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
8.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
9.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
10.
Journal of Chemical Ecology - Biocontrol agents such as parasitic wasps use long-range volatiles and host-associated cues from lower trophic levels to find their hosts. However, this chemical...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号