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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。  相似文献   
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Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
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Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
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7.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
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Food Science and Biotechnology - Various hilling materials (rice hulls, pine sawdust, and perlite) were compared to produce sprout vegetables using beach silvertop (Glehnia littoralis Fr. Schm. ex...  相似文献   
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Semiconductors - Abstract—In our work, we carry out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen-plasma activation on a hybrid...  相似文献   
10.
Journal of Communications Technology and Electronics - In recent years, there has been a rapid improvement in photonics products due to the use of multilayer heterostructures grown on the basis of...  相似文献   
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