基于LIGA技术的微细电火花加工优化研究

比较了活动掩膜法与固定掩膜法得到的PMMA胶结构,实验表明固定掩膜法更适合于多次曝光.结合LIGA技术和微细电火花加工的优点,用LIGA技术制备出具有复杂形状的铜微细工具电极,再用该工具电极进行微细电火花加工,在不锈钢上加工出异形微细孔.并通过进一步调整电火花加工工艺参数,优化了加工尺寸精度和表面粗糙度.     

折叠波导行波管铪栅极退火温度及其性能

在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.     

利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。     

微流路生物芯片的研制

运用光刻、刻蚀技术在载玻片上刻蚀出条宽 70 μm、深 30 μm、长 7cm的沟槽 ,与另一载玻片键合 ,形成一微流路沟道 ,研制出了用于生物电泳技术的微流路生物芯片。在该芯片的研制中 ,克服了湿法腐蚀、断线、键合等技术难题。该芯片已经交付合作单位使用 ,能够满足应用中的基本性能要求     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。     

利用LIG技术制造夹钳

在航天、国防、医学、核物理学领域,有着对仪器设备向小型化、复杂化、集成化方向发展的要求。在这一动力驱动下,精神机械加工、ＬＩＧＡ技术以及硅技术有了长足发展,制造出许多部件和产品,但对于复杂的微机电系统,单靠这些难以实现,需要进行系统的装配工作,微夹钳也是在这一需求下发展起来的,除此之外,在细胞操作箕 细操作过程中也迫切需要这样的执行软件。本文利用ＬＩＧＡ技术进行了这方面的研究工作,并得到了一些结果     

50nm X射线光刻掩模制备关键技术

X射线光刻(XRL)采用约1nm波长的X射线,是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言,XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等,是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺,因而工艺成本很低。掩模制造技术是XRL开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于50nm XRL的掩模制备的关键技术。     

50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于100nm同步辐射X线光刻系统而言,它采用的波长通常为0．7-1．0nm,而当光刻分辨率达到50nm以下时,采用的同步辐射X射线波长范围应该为0．2—0．4nm。探讨了在北京同步辐射3B1A光刻束线上进行50nmX射线光刻的可能性。     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。