离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象

近几年来,人们研究了离子注入层中注入杂质在退火过程中的再分布。结果表明,广泛的离子品种,例如Pb~ 、As~ 、Sb~ 、Cs~ 、Pt~ 、Bi~ 、Xe~ 、Ni~ 、Br~ 和Cr~ 等高剂量(≥10~(15)atoms/cm~2)注入Si后,在退火时注入的杂质显著地向表面扩散;高剂量离子注入某些金属,退火时也有向表面扩散的现象。因此,高剂量注入的杂质在退火过程中向表面扩散是一个较普遍的现象。     

用~(75)As~ 和~(132)Xe~ 离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析

阳极氧化生成的Al_2O_3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al_2O_3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al_2O_3薄膜的厚度和注入离子在Al_2O_3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的~4He~ 离子束测定了Al_2O_3中~(75)As 和~(132)Xe~ 的注入剂量、射程和射程分布,并对阳     

Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放

采用2MeV ~4He~+离子的卢瑟福(Rutherford)背散射技术详细地研究了Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放行为。Al(Cr)层中的Ar和Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30KeV,Ar的注入剂量为4.3×10~16at./cm~2;Xe的注入剂量为5.2×10~15at·/cm~2恒时退火累积分数释放额的测量表明,Ar和Xe在Al(Cr)层中有着十分不同的释放行为,Ar的迁移和释放较快,而Xe没有观察到明显的释放。气体原子尺寸的不同使得它们与晶格缺陷有着十分不同的束缚能。     

用背散射测定惰性气体在合金和单晶硅中的迁移和释放特性

不锈钢和铝是重要的核装置中所用的材料,其中的惰性气体在热激活情况下的运动特性与材料在各种辐照和高温条件下的相对稳定性,辐照产生的空洞缺陷以及这些缺陷所造成的膨胀和机械性能的变化有很大关系。因而,研究在金属材料中注入的惰性气体在各种退火温度下的迁移和释放规律,将为核装置所用材料的研究、改进和开发提供必要的实验依据。 单晶硅是重要的半导体材料。在室温下,利用重离子对单晶硅进行离子注入时,当注入剂量大于10~(14)atom/cm~2时,将在与离子射程相应的深度范围内形成非晶层。这个非晶层在其后的热处理过程中可以重新结晶,根据注入离子种类和注入剂量的不同,这个非晶层可以恢复成单晶或形成多晶。研究惰性气体在这种重     

山东省胃癌高低发地区主要食物中微量元素的PIXE分析

介绍了用PIXE技术分析食物中微量元素的方法,给出了山东省胃癌高发区栖霞县和低发区苍山县当地产主要食物的微量元素谱．t检验结果显示,栖霞县食物中Sr、Ni、Cu、Mn和Fe的含量显著高于苍山县,而Se的含量则相反．     

山东省胃癌高低发区健康人发中微量元素的PIXE分析

用ＰＸＩＥ方法测定山东省胃癌高发区栖霞县和低发区苍山县高发年龄组（５０－６０岁）的健康人发中的微量元素,结果表明前人发中的Ａｓ,Ｃｏ,Ｆｅ,Ｃｒ显著高于后者,而Ｓｅ则相反。