α粒子在硅内产生电子-空穴对平均能耗的测定

利用~(242)Cm,~(241)Am,~(239)Pu,~(210)Po α放射源测量了α粒子在金硅面垒型半导体探测器中产生一对电子-空穴所消耗的平均能量,得到ε=3.64±0.02电子伏,与国外的测量结果进行了比较。     

用带栅双电离室测量快中子引起~(235)U裂变碎片动能分布

实验背对背带栅双电离室的构造如图1所示。中心是一带小准直器的铂金片,在它的一面附有~(235)U样品作为公共阴极。与阴极相连接的是一个保护环,其作用是使阴极、栅极间     

~(233)U,~(235)U热中子裂变截面比值测量

在中子晶体谱仪上利用背靠背裂变室测量中子能量为0.0253电子伏时的~(233)U,~(235)U裂变截面比值,得到的结果是σ_f(~(233)U)/σ_f(~(235)U)=0.916±0.018;同时根据已知的~(235)U热中子裂变截面值推算出~(233)的热中子裂变截面。σ_f(~(233)U)=536±11靶。所得结果与国外结果进行了比较。     

准单能6—7MeV γ射线参考辐射场的建立和对6.13MeV能点γ探测效率的绝对刻度

建立了准单能6—7 MeVγ射线参考辐射场并介绍了有关特性;重点描述在E_γ=6.13 MeV能点对NaI(Tl)γ探测器的探测效率的绝对刻度方法;给出了实验结果并对实验误差进行了讨论。     

一个高能量多线γ放射源

一、引言文献[1]已报导过用Am-Be源中子被镍俘获后产生的γ放射源,它可用于γ探测器的性能刻度,特别是Ge(Li)探测器的刻度。为了使这种γ射线源能用于更宽的能量范围和低分辨探测器,我们对样品的结构作了改进、并用NaI(Tl)和BGO探测器进行了测试。这种多线γ放射源可以对分辨率差的探测器在1～9 MeV范围内作能量响应特性的测     

高能量γ射线源

文章介绍了用Am-Be中子源得到5-10MeV能区单能γ射线,以及在反应堆上得到高能单色低本底γ射线的方法。它们可以用来刻度γ探测器如Ge(Li),HPGe,NaI(Tl)和BGO等的能量线性,能量分辨和相对效率。     

快中子能区~9σ_f/~5σ_f的测量

~(239)Pu作为一种用于快堆和核武器的重要的核燃料,它的裂变截面(记为~9σ_f)是一个很重要的数据,因此,近三十年来,人们用各种方法对这一数据进行了反复的测量。尽管如此,各家数据的分歧依然存在。由于~(235)U的裂变截面(记作~5σ_f)测量得比较仔细和系统,截面随能量的变化也比较平滑,常把~5σ_f作标准截面使用。因而通过测量~σ_f/~σ_f的比值即可定出~9σ_f。这样做的便利之处是避免了对中子通量的测量,修正量的考虑也可简单得多。值得注意的是,~(239)Pu是一种高α放射性的裂变物质,为了克服α堆垒脉冲对裂变计数的影响,必须在裂变室的设计与电子线路的使用上作一些特殊的考虑。为此,使用了上升时间快的快电离室与快线路系统。本工作的目的是在中子能量从30千电子伏到5.6兆电子伏和14—18兆电子伏区域内测量~(239)Pu和~(235)U裂变截面比值随中子能量变化的曲线,测量工作是在2.5兆伏静电加速器和600千伏高压倍加器上进行的。     

快中子能区~(233)U裂变截面的测量

利用背靠背裂变电离室在30千电子伏到5.6兆电子伏及14—18兆电子伏中子能区测量了~(233)U及~(235)U裂变截面的比值。并在500千电子伏及1兆电子伏两点定出了中子通量绝对值,从而给出了~(233)U与~(235)U裂变截面的绝对值。对测量结果进行了简短的讨论。     

关于~(238)U自发裂变常数

使用平行板脉冲电离室测量~(238)U自发裂变衰变常数,得到结果λ_f=(8.63±0.25)×10~(-17)年~(-1)。鉴于到目前为止已发表的λ_f值差别很大,我们收集整理了世界各地的测量数据,给出~(238)U自发裂变衰变常数推荐值为:λ_f=(8.46±0.16)±10~(-17)年~(-1)。