新型无机闪烁体CeF3的时间特性研究

CeF3是新型快响应无机闪烁体．对近年国内研制的CeF3无机闪烁体的时间特性进行了研究，包括脉冲辐射诊断所关心的CeF3对快脉冲γ辐射源的时间响应．如上升时间、半高竟、脉冲后沿；同时推算并使用了用脉冲法获得晶体发光衰减常数的简单估算公式，获得的CeF3衰减常数值与国外研究同行其它测量方法得到的结果基本一致。     

快响应无机闪烁体CeF3的时间特性研究

CeF3是一种新型的适合脉冲γ测量的快响应无机闪烁体。本工作采用上升时间约为0．8ns、半高宽为1．5～2．2ns的脉冲辐射源，对CeF3与光电管构成探测器的时间响应进行了测量。多组实验测量结果表明：CeF3的脉冲响应前沿时间小于2ns，半高宽约10ns，波形响应后沿约60ns，平均发光衰减常数为20～30ns。     

大面积LiF晶体积分衍射效率的标定

本文介绍了用连续Ｘ光谱测量晶体积分衍射效率的方法，并将所测结果与常规用双晶谱仪测量晶体摇摆曲线法所得结果进行了比较，对所测结果的合理性和实用性进行了讨论。     

微秒级宽脉冲信号下能输出大于1.5 A线性电流的光电倍增管

测量了CHφT3型光电倍增管配上ST401塑料闪烁体,在波形半宽度约2400ns脉冲光源照射下的电流输出情况,还提供了该光电倍增管与对中子相对不灵敏的晶体CeF3组成探测器应用于宽脉冲γ辐射源测量得到的电流输出情况。结果表明,CHφT3型光电倍增管其饱和电流输出大于3．5A,最大线性电流大于1．5A,暗流小于10nA,是一种在微秒级宽脉冲信号下都可以输出大于1．5A线性电流的大电流光电倍增管,是在大动态范围脉冲测量中,使用多探测器量程衔接时降低不确定度的一种可选方法。     

两种光电倍增管增益与总工作电压的关系研究

实验研究了CHφT3、CHφT5型光电倍增管探测器增益与总工作电压的关系．实验研究表明：在标准供电电压上下100V范围内,光电倍增管探测器增益M与总工作电压U的关系可分别表示为：dM/M0=8．28dU／U,dM/M0=6．08dU／U。     

探测器稳态与瞬态灵敏度实验研究

利用可调制成直流和脉冲光的半导体激光器光源,对光电倍增管(XP2242/B)的稳态灵敏度和瞬态灵敏度进行了标定。稳态和瞬态灵敏度的标定结果分别为1.33±0.14(k=2)、1.28±0.22μA/μW(k=2)。在测量不确定度范围内,稳态条件下与瞬态条件下标定的灵敏度是一致的。     

X射线在Be、C轻材料上的散射特性研究

介绍了在Ru-200 X光机上,采用Ag靶的韧致辐射谱,通过LiF晶体分光产生单色X射线,用Be、C材料作散射体,在6°～40°的方向上作散射测量.实验结果显示这两种低Z材料对X光散射具有方向性.给出了散射效率随散射角度的分布曲线,阐明这种方向性与X-射线能量E、散射体的原子序数Z和强散射角θ之间的关系.     

Fe、Co、V和Ti材料的X荧光效率测量

介绍了在Ru-200 X光机上,根据Cu靶的韧致辐射谱,采用滤波法产生单能X射线,对Fe、Co、V和Ti荧光片作荧光效率测量.给出了荧光效率的理论推导公式和实验结果,并进行了理论和实验比较.     

φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量

φ60mm×600μm硅PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器,用1013Bq级的60Coγ放射源测量了该类探测器的60Co γ灵敏度,用CΓC脉冲辐射源(约0.2MeV)测量了该类探测器的时间响应.实验和理论计算表明:该类探测器的60Co γ灵敏度约为5 fC*cm2/MeV.脉冲响应上升时间约为10ns,脉冲响应半高宽约为35ns.     

快响应无机闪烁体CeF_3的时间特性研究

CeF3是一种新型的适合脉冲γ测量的快响应无机闪烁体。本工作采用上升时间约为0 8ns、半高宽为1 5～2 2ns的脉冲辐射源,对CeF3与光电管构成探测器的时间响应进行了测量。多组实验测量结果表明:CeF3的脉冲响应前沿时间小于2ns,半高宽约10ns,波形响应后沿约60ns,平均发光衰减常数为20～30ns。