紧凑型强流ECR源

建立了１台紧凑型强流ＥＣＲ源。共振磁场由１个小电磁线圈及软铁回路产生,磁场可调,能保证放电处于最佳条件。研究了气压,微波功率及共振场对放电的影响。在５５０Ｗ的放电功率下,从直径４ｍｍ引出孔引出了３５ｍＡ的Ｈ＾＋离子束,引出Ｈ＾＋离子的质子比超过９０％,从源中还引出了７ｍＡＯ＾＋、８ｍＡＮ＾＋、１２ｍＡ Ａｒ＾＋的束流。     

磁谱β仪大面积源的静电补偿和几何修正

测量电子反中微子静止质量的最灵敏的方法是测量氚的β谱。采用大面积源能在保持β谱仪高分辨率的情况下,显著提高谱仪的亮度。利用传输矩阵方法和轨迹跟踪方法,分别在二级近似和高级近似下研究了大面积源的静电补偿和几何修正。计算了面源和面源上等位线的理想形状,讨论了它们的圆柱面近似和圆弧近似。以中国原子能科学研究院中微子质量测量β谱仪的磁场参数的依据。给出了一个宽9.6cm高10.0cm的大面积源算例,采用大面积源能使谱仪的亮度提高两个量级以上,而分辨却只加大一倍多点。理论计算结果与实验结果符合 的很好。     

双栅低能电子积分谱仪的实验研究

结合电子中微子质量测量研制高分辨率β谱仪的需要,我们开展了低能电子减速积分谱仪的实验研究。减速积分谱仪已出现多年了。五十年代哈密顿,六十年代卡德维尔,以及七十年代的赫契托等都曾作过减速栅型谱仪的工作。他们所用都是双层球栅分析栅网。赫契托用了每毫米四线的32°张角的球面栅,透射率达20%,对于200—1400eV的电子分辨率为0.06%。但前人所研究谱仪都是能量极低(2 keV以下)、尺寸较小的。为了适应中微子质量测量的要求,我们在较高能区作了实验研究。     

测量快中子能谱的载锂乳胶二面角法

本文利用~6Li(n,t)α反应测量了0.1—0.7兆电子伏能区的无定向快中子能谱。用二面角法改善了能量分辨率。     

U~(235)的热中子裂变截面絕对值的測量

用晶体譜仪所給出的单能热中子束(2200米/秒)和載鈾、載硼原子核乳胶,測量了U~(235)的热中子裂变截面σ_f和天然硼的热中子吸收截面σ_B的相对此值σ_f/σ_B。利用巳知的σ_B值(764靶),得到U~(235)的热中子裂变截面绝对值σ_f=582±9靶。这个数值与目前文献上公开发表的大部分結果在誤差范围內符合。本文詳細叙述了具体測量方法,扼要討論了这种測量方法的特点。文章就測量結果进行了討論,指出休斯(Hughes)等在1960年所給出的“世界平均值”稍微偏低了一点。     

0.11,0.19 MeV氘核引起的~7Li(d,n)中子能谱

用芪晶体反冲质子积分谱法,测量了0.11、0.19MeV氘核引起的~7Li(d,n)反应的中?能谱。定出了通过~8Be、~5He基态和第一激发态各道的分支比。结果表明,~5He道是主要的。     

用~6Li半导体谱仪测量临界装置中子能谱

本文介绍~6Li夹心半导体中子谱仪的组成、原理及其实验技术。在2.5MeV静电加速器及400keV倍加器上用单能中子验证了谱仪的能量线性。讨论了分辩函数半宽度随中子能量变化的规律。用这种谱仪测量了浓缩铀裸球临界装置中心快中子谱,复盖能区40keV—10MeV;解谱程序移植了SAND-Ⅱ方法展开箔片积分数据。     

14.1 MeV中子与~9Be相互作用产生的次级中子能谱

(Ⅰ)是弹性散射;(Ⅱ)是非弹性散射。γ退激反应道(Ⅱ.4)的几率很小,非弹性散射基本上都发展成反应道(Ⅱ.1)、(Ⅱ.2)或(Ⅱ.3),都属于(n,2n)反应。总之,14.1MeV中子与~9Be作用产生次级中子的反应,除了弹性散射和极弱的(n,n’γ)分支以外,都是~9Be(n,2n)2α四体反应。在中子能谱上,除了弹性散射峰和非弹性散射峰以外,就是由级联衰变或多体崩裂过程产生的连续谱。     

以中子管为激发源的中子活化分析系统慢化屏蔽体设计

应用MCNP程序,通过对中子输运过程的模拟计算,得到了以14 MeV D-T中子管为激发源,在慢化屏蔽材料选取不同组合时的热中子注量率分布,热化比及镉比随铅层厚度的变化,以及屏蔽体外几处关键点的生物剂量率。根据模拟计算的数据,设计了活化分析系统的慢化屏蔽体,为开展以14MeV D-T中子管为激发源的中子活化分析工作奠定了基础。     

2.06MeV氘核引起的~7Li(d,n)反应中子能谱

用茋晶体闪烁谱仪和石蜡球壳慢化谱仪测量2.06 MeV氘核引起的~7Li(d,n)反应中子能谱,并得到各反应道的分支比。